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高剑侠

作品数：20 被引量：32H指数：3
供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 6篇总剂量
  • 4篇总剂量辐照
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 3篇阈电压
  • 3篇离子注入
  • 3篇辐照特性
  • 3篇SIMOX
  • 3篇CMOS
  • 3篇PMOSFE...
  • 2篇电离辐射
  • 2篇电路
  • 2篇射线
  • 2篇铁电
  • 2篇退火
  • 2篇界面态
  • 2篇抗辐射
  • 2篇集成电路
  • 2篇辐照
  • 2篇高温

机构

  • 18篇中国科学院
  • 4篇中国科学院上...
  • 2篇复旦大学
  • 1篇北京石油化工...

作者

  • 20篇高剑侠
  • 8篇严荣良
  • 7篇林成鲁
  • 7篇任迪远
  • 4篇竺士炀
  • 4篇余学锋
  • 4篇张国强
  • 3篇朱德彰
  • 3篇李金华
  • 2篇曹德新
  • 2篇周祖尧
  • 2篇王连卫
  • 1篇朱江
  • 1篇胡浴红
  • 1篇黄宜平
  • 1篇余学峰
  • 1篇宋志棠
  • 1篇曾建明
  • 1篇郑立荣
  • 1篇武光明

传媒

  • 5篇核技术
  • 5篇固体电子学研...
  • 2篇Journa...
  • 2篇微细加工技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第八届全国核...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 4篇1995
  • 4篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
含F栅介质的Fowler-Nordheim效应被引量：3
1998年
本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．
张国强严荣良余学锋高剑侠任迪远
关键词：大规模集成电路栅介质
两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性被引量：5
1993年
报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生阈电压漂移,控制氧化物电荷和界面态生长的能力。用多晶硅面注F带入栅介质较少注入缺陷和较多替代辐射敏感应力键的F离子模型对实验结果进行了讨论。
张国强余学锋高剑侠任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
关键词：阈电压界面态电离辐射MOS器件
CMOS／SIMOX器件总剂量辐照的研究
1995年
在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明，在辐照过程中，氧化物正电荷增加较多，界面态增加较少，且ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ＂导通＂辐照偏置是最恶劣偏置。
高剑侠严荣良余学锋张国强任迪远林成鲁李金华竺士扬
关键词：界面态阈电压漏电流CMOS/SIMOX
注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性被引量：3
1996年
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力．
竺士炀林成鲁高剑侠李金华
关键词：SIMOX二氧化硅半导体材料
Pt/PZT/Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应被引量：2
1998年
研究了γ辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和ＣＶ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加，介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论，提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。
高剑侠郑立荣王连卫林成鲁朱德彰
关键词：铁电辐照介电常数矫顽场
P沟MOSFET/FIPOS的γ射线总剂量辐照特性
1998年
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的ＳＯＩ材料。研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏγ射线总剂量辐照特性，表明经５ｋＧｙ（Ｓｉ）辐照后，器件仍有特性，但阈值电压有较大的漂移，这主要是由栅氧化层中的辐照感生电荷而引起。不同沟道长度ＰＭＯＳＦＥＴ的辐照特性基本相同。经一段时间室温退火，阈值电压出现回漂。
竺士炀黄宜平黄宜平
关键词：SOI材料PMOSFET总剂量辐照Γ射线
不同工艺制备的铁电薄膜底电极Pt/Ti被引量：6
1999年
采用高真空电子束蒸发与直流溅射在SiO2／Si基底上制备Pt／Ti底电极，对Pt／Ti在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明：由于采用不同的制备工艺，Pt晶粒在成核与生长方式上有所不同，导致了Pt薄膜在结构与形貌的差异。高真空电子束蒸发的Pt薄膜以织构的方式生长，致密而规则的柱状晶粒决定了它在高温下的连续性和稳定性，为制备高质量的铁电薄膜与其性能的研究提供了条件。
宋志棠曾建明高剑侠张苗林成鲁
关键词：织构底电极铁电薄膜铂
NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性被引量：3
1995年
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ和ＮＭＯＳＩ体硅的辐照效应作了比较，结果表明前者抗总剂量辐照性能不如后者。对引起阈值电压漂移的两个因素（氧化层电荷和界面态电荷）和提高ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ抗辐照性能的几点措施进行了讨论．
竺士炀李金华林成鲁高剑侠严荣良任迪远
关键词：SIMOX材料NMOS器件总剂量辐照
大剂量P^＋离子注入单晶硅的研究被引量：1
1994年
采用４８０ｋｅＶＰ＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０１６ｃｍ－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＋的剂量及退火温度有关。
高剑侠朱德彰曹德新周祖尧
关键词：退火离子注入单晶硅
CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较
1996年
用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。
竺士炀林成鲁李金华高剑侠
关键词：SIMOXCMOS总剂量辐照Γ射线
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