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马蕾

作品数:59 被引量:88H指数:5
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 46篇期刊文章
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领域

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  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 16篇纳米
  • 11篇电池
  • 10篇太阳电池
  • 10篇纳米线
  • 10篇SI纳米线
  • 8篇发光
  • 7篇退火
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇光电
  • 5篇电特性
  • 5篇发光特性
  • 5篇掺杂
  • 4篇热退火
  • 4篇量子
  • 4篇纳米晶
  • 4篇纳米晶粒
  • 4篇光电特性
  • 4篇光学
  • 4篇半导体

机构

  • 59篇河北大学
  • 6篇北京大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇承德石油高等...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 59篇马蕾
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  • 10篇张雷
  • 10篇范志东
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  • 3篇张志刚

传媒

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  • 4篇光谱学与光谱...
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年份

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  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长被引量:1
2012年
以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30~100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线。实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响。结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加。对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少。光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si=O双键态或非桥键氧缺陷中心。
马蕾郭延岭娄建忠彭英才
关键词:SI纳米线退火温度光致发光
蓝宝石基BST薄膜的制备技术的研究
娄建忠陈俊英马蕾刘素平宫娜徐卓
采用激光脉冲沉积制备缓冲层、阻挡层和钛酸锶钡薄膜,X射线衍射仪进行结构分析,铁电测试仪、C-V测试仪进行电学性能测量。研究温度、气压,脉冲频率与薄膜结构和物理性能的关系。制备MgO、CeO<,2>等缓冲层,研究沉积工艺对...
关键词:
Eu掺杂Si纳米线的光致发光特性被引量:3
2015年
利用Si(111)衬底,以Au-Al为金属催化剂,基于固-液-固生长机理,在温度为1100°C,N2气流量为1.5 L/min、生长时间为30—90 min等工艺条件下,制备了直径约为100 nm、长度为数微米的高密度、均匀分布、大面积的Si纳米线(~1010cm 2).对Si纳米线进行了Eu掺杂,实验研究了不同长度的Si纳米线以及不同掺杂温度、掺杂时间等工艺参数对Eu离子红光发射的影响,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对Si纳米线表面形貌和Eu掺杂后Si纳米线的结晶取向进行了测量和表征;室温下利用Hitachi F-4600型荧光分光光度计对样品的激发光谱和发射光谱进行了测试和分析.结果表明:在Si纳米线生长时间为30 min、掺杂温度为1000°C、最佳激发波长为395 nm时,样品最强荧光波长为619 nm(5D0→7F2);同时,还出现了576 nm(5D0→7F0),596 nm(5D0→7F1),658 nm(5D0→7F3)和708 nm(5D0→7F4)四条谱带.
范志东周子淳刘绰马蕾彭英才
关键词:SI纳米线EU掺杂光致发光
Si纳米线光伏器件的研究进展
2016年
Si纳米线具有良好的光吸收和减反射特性,能够和现有Si工艺较好地兼容以及降低电池成本等优势,在太阳电池方面具有潜在的应用.介绍了Si纳米线径向p-n结、轴向p-n结、聚合物混合异质结和肖特基结等太阳电池的结构、制备、光伏特性等研究进展,同时指出Si纳米线结构太阳电池研究中需要解决的一些问题,并对今后的发展方向进行了展望.
范志东刘绰张津豪马蕾彭英才
关键词:SI纳米线光学特性太阳电池
纳米Li2MnSiO4正极材料的高压水热法制备及其电化学特性
2019年
采用高压水热法制备锂离子电池正极材料Li 2MnSiO 4,研究压强、反应温度和前驱体浓度对合成Li 2MnSiO 4的影响,并进一步研究碳包覆前后Li 2MnSiO 4的电化学性能。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、充放电测试和交流阻抗等方法对样品的结构、形貌和电化学性能进行表征分析。结果表明:采用水热法在高压高温条件下可以合成高纯度的Li 2MnSiO 4材料,提高前驱体浓度有助于形成粒径较小的Li 2MnSiO 4纳米颗粒。电化学性能测试显示碳包覆后的 Li 2MnSiO 4/C比Li 2MnSiO 4具有更高的比容量,在0.1C (电流密度为33.3mA·g -1 )下首次放电比容量可达178.6mAh·g -1 ,循环50次后放电比容量为97.1mAh·g -1 ,容量保持率为54.4%。同时,Li 2MnSiO 4/C还具有比Li 2MnSiO 4更小的电荷转移阻抗和更高的锂离子扩散系数。
李嘉俊刘磊卢玉晓孙之剑马蕾
关键词:锂离子电池正极材料LI
提高Si量子点发光强度的途径被引量:1
2006年
探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括:采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和稀土发光中心掺杂。
康建波彭英才简红彬马蕾张雷
关键词:发光强度光致发光电致发光
钝化处理在消除多晶Si薄膜缺陷中的应用被引量:1
2008年
介绍了消除多晶Si太阳电池薄膜中缺陷的各种钝化方法,主要包括利用氢等离子体、SiNx∶H薄膜、Se单原子层、二元(Al2O3)x(TiO2)1-x合金、SiO2/Si/SiO2量子阱以及湿法化学反应所实现的对缺陷进行有效钝化处理等方法;基于本研究领域的最新进展,对各种方法的优缺点进行了分析归纳。指出H钝化可获得较好的钝化效果,但在后续热处理过程中,Si—H键会由于温度过高而断裂,致使氢离子离开表面而使钝化效果变差;SiNx∶H氮化物薄膜可以有效阻挡氢的外扩散,保持钝化效果的稳定性,还可以起到对光的减反射作用。研制具有较低的光反射率、非平衡载流子的高收集效率以及低界面态密度的薄膜和提高薄膜的机械强度是当前科学工作者应该关注的课题。
王侠张雷马蕾彭英才
关键词:多晶硅钝化处理光伏特性晶粒间界
表面陷光技术及其在太阳电池中的应用
2014年
采用各种表面陷光技术可以增强太阳电池表面的光吸收,由此能够提高太阳电池的能量转换效率.本文评述了采用表面织构、表面等离子增强效应、光子晶体、透明导电氧化物薄膜等表面陷光结构的光学特性,及其在改善太阳电池光伏性能方面的研究进展.指出了各自潜在的优势和存在的问题,并提出了未来研究的若干技术对策.
彭英才陈乙豪蒋冰沈波马蕾
关键词:太阳电池表面织构光子晶体透明导电氧化物
nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性被引量:1
2012年
利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.采用Raman散射谱、原子力显微镜(AFM)、透射光谱方法对在不同衬底温度与不同H2稀释比条件下沉积生长薄膜的微结构和光学特性进行了实验研究.结果表明,nc-Si:H薄膜的晶粒尺寸为2.6~7.0nm和晶化率为45%~48%.在一定反应压强、衬底温度和射频功率下,随着H2稀释比的增加,薄膜的沉积速率降低,但晶化率和晶粒尺寸均有所增加,相应光学吸收系数增大.而在一定反应压强、射频功率和H2稀释比下,随着衬底温度的增加,沉积速率增加,薄膜晶化率提高.
娄建忠李钗马蕾王峰江子荣
关键词:RF-PECVDNC-SI微结构光学特性
Cl掺杂Cu_2O的第一性原理计算被引量:1
2017年
为了探究Cl杂质对Cu_2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu_2O1-xClx模型,并对Cu_2O的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。计算结果表明:Cl掺杂导致Cu_2O的晶格常数变大,并在Cu_2O禁带中形成了一条主要由Cl 3p轨道组成的浅施主杂质能级。该能级跨越费米面,使电子可以经过杂质能级跃迁至导带,减少了电子跃迁所需要的能量,使Cu_2O呈现半金属性;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度依次减小为0.444,0.424,0.221 eV,从而出现吸收带边的红移;不同浓度Cl掺杂下,Cu_2O对可见光的吸收能力得到极大改善。
彭健任荣康李健宁张明举牛猛马蕾闫小兵郑树凯
关键词:第一性原理态密度
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