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马继开

作品数：5 被引量：11H指数：3
供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院电子工程系更多>>
发文基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇4H-SIC
  • 2篇退火
  • 2篇界面态
  • 2篇SIC
  • 1篇低温退火
  • 1篇电子谱
  • 1篇电阻
  • 1篇态密度
  • 1篇碳化硅
  • 1篇退火工艺
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇氢等离子体
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇界面过渡区
  • 1篇界面态密度
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇比接触电阻
  • 1篇比接触电阻率
  • 1篇N型

机构

  • 5篇大连理工大学

作者

  • 5篇马继开
  • 4篇王海波
  • 4篇赵亮
  • 3篇陈素华
  • 3篇王德君
  • 2篇朱巧智

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇Journa...

年份

  • 4篇2008
  • 1篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成被引量：4
2008年
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。
赵亮王德君马继开陈素华王海波
关键词：4H-碳化硅X射线光电子谱
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究被引量：3
2008年
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
马继开王德君朱巧智赵亮王海波
关键词：4H-SICMOS电容
低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触被引量：2
2008年
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc为2．25×10^-3Ω·cm^2（ρc由圆形传输线模型CTLM测得），随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2．07×10^-4Ω·cm^2。采用X射线衍射（XRD）确定金属／n-SiC界面反应时形成的相，以分析电学性质与微观结构间的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。
陈素华王海波赵亮马继开
关键词：氢等离子体欧姆接触比接触电阻率
4H-SiC MOS结构工艺与电学特性研究
SiC材料是第三代宽禁带半导体材料的代表，因其在高温、高功率、高辐射条件下的优异性能，而成为“极端电子学”中最重要的研究对象之一;同时SiC材料又是除了Si材料之外唯一能够通过直接热氧化生长氧化绝缘膜的半导体材料。目前，...
马继开
关键词：SIC材料MOS工艺I-V特性C-V特性界面态密度
文献传递
SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究被引量：3
2008年
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系．
王德君赵亮朱巧智马继开陈素华王海波
关键词：界面态
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