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陈高鹏: 作品数：29 被引量：5H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路: 本发明公开了一种GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路，包括：输入级子电路、基本跨导子电路、线性化子电路、负阻子电路和镜像电流源子电路，其中：输入级子电路用于对输入的差分电压IN_P和IN_N进行电平移位，并将移位之...; 陈高鹏吴旦昱金智武锦刘新宇

An InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifier with Power Combining at the X-Band: 2008年; A MIC power amplifier with power combining based on InGaP/GaAs HBT is developed and measured for the application of the latest high power amplifier stage of the X-band. A novel InGaP/GaAs HBT power transistor with an on-chip RC stabilization network is used as the power combing cell to improve the stability of the circuit. A compact mi- crostripe line parallel matching network is used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at class AB： Vc= 7V, Ic = 230mA,a maximum CW stabile output power of 28.9dBm and a power combine efficiency of 80% are achieved at 8. 1GHz.; 陈延湖申华军王显泰陈高鹏刘新宇袁东风王祖强; 关键词：MIC

一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器: 本发明公开了一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器，该累加器为一由N级1-bit全加器并行构成的流水线结构，N为大于2的自然数，每一级1-bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和，并且向下一级1-bit全加器输...; 刘新宇陈高鹏吴旦昱金智武锦; 文献传递

InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构: 本发明公开了一种应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，该结构由并联在InP DHBT器件集电极端的电阻-扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP DHBT器件的集电极端，另一端连接...; 陈高鹏吴旦昱苏永波金智刘新宇

W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真被引量：1: 2008年; 介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示,功率放大器在94GHz工作频率下增益为6.1dB,3dB带宽为DC^103GHz,饱和输出功率大于16dBm,同时输入输出回波损耗小于-20dB,隔离度大于30dB。目前电路正在流片制作当中。; 陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇; 关键词：W波段磷化铟功率放大器单片微波集成电路

Ku波段开关固态功放模块的研制: 实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路为15.75～16.25 GHz频段,隔离...; 袁婷婷陈晓娟陈中子陈高鹏李滨刘新宇; 关键词：KU波段微波开关高隔离度功放模块; 文献传递

一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构: 本发明公开了一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构，该波导结构包括波导腔和波导内腔两个部分，该波导腔由两段并行的标准方波导构成，该两段并行的标准方波导通过波导内腔连接，每段标准方波导具有两个端，每端作为该波导结构的一个...; 陈晓娟刘新宇阎跃鹏陈中子袁婷婷陈高鹏; 文献传递

Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究: 2008年; 采用平面微带线结构及内匹配GaAs金属半导体场效应晶体管的Ku波段大功率脉冲功率放大器模块,研究了在Ku波段脉冲功率放大器研制中的稳定性问题,设计了双层腔体结构对低频电路和高频电路进行隔离,并在偏置网络中加入稳定性网络,消除了低频振荡和参量振荡,有效提高了功率放大器的稳定性。对直流供电电路进行优化,使电路可以根据不同应用需要灵活调整工作状态设计了储能电容电路,提高了脉冲功率放大器的工作效率。研制成功的Ku波段脉冲功率放大器模块,在13.5～14.0GHz工作频段,冲重复频率3kHz,占空比10%,功率增益Gp≥44dB,输出脉冲峰值功率Ppk≥30W,总体工作效率η≥26%(ClassB)。功率放大器在DC～14.0GHz内稳定,没有振荡现象发生。; 陈高鹏吴旦昱陈晓娟刘新宇李滨; 关键词：KU波段微带线内匹配脉冲功率放大器

Ku波段开关固态功放模块的研制: 2008年; 实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路为15.75～16.25GHz频段,隔离度大于95dB,插入损耗小于4dB,同时提出了改进两路输出功率不平衡度的方案,对系统结构进行合理优化。最终实现Ku波段开关固态功放模块在15.75～16.25GHz工作频段内,输出功率为30dBm,且两路功率不平衡度小于0.7dB,系统隔离度大于70dB,电压驻波比小于1.4,系统尺寸为65mm×40mm×15mm。; 袁婷婷陈晓娟陈中子陈高鹏李滨刘新宇; 关键词：KU波段微波开关高隔离度功放模块

一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型: 2008年; 从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.; 葛霁金智刘新宇程伟王显泰陈高鹏吴德馨; 关键词：碰撞电离温度依赖