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陆胜天

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇阳极
  • 3篇电阻
  • 3篇阳极氧化
  • 3篇探测器
  • 3篇碲镉汞
  • 3篇碲镉汞红外探...
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇比接触电阻
  • 3篇XPS
  • 3篇AES
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化膜
  • 1篇阳极化
  • 1篇阳极氧化膜
  • 1篇氧化膜
  • 1篇退火
  • 1篇器件芯片
  • 1篇芯片

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇陆胜天
  • 7篇龚海梅
  • 4篇李萍
  • 4篇朱龙源
  • 3篇刘诗嘉
  • 3篇张燕
  • 1篇李萍
  • 1篇李萍
  • 1篇汤英文
  • 1篇庄春泉
  • 1篇陈安森

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 2篇2004全国...

年份

  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
碲镉汞红外探测器的分步式阳极氧化新方法研究
采用小电流腐蚀、脉冲电流钝化、恒压退火的分步式阳极氧化钝化新方法对碲镉汞红外探测器进行表面钝化,利用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)对传统恒流方法和新方法生成的两种阳极氧化膜进行测试比较。结果表明,新方法生长的...
陆胜天李萍刘诗嘉朱龙源龚海梅
关键词：碲镉汞阳极氧化红外探测器
文献传递
Au/n-InP接触的热反应特性
研究了离子束溅射制备的Au/n-InP欧姆接触在退火前后的界面特性。400℃10min退火后,比接触电阻比退火前降低了约两个数量级。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性质。...
李萍陆胜天张燕龚海梅
关键词：AESXPS比接触电阻
文献传递
碲镉汞红外探测器的分步式阳极氧化新方法研究
2005年
采用小电流腐蚀、脉冲电流钝化、恒压退火的分步式阳极氧化钝化新方法对碲镉汞红外探测器进行表面钝化，利用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)对传统恒流方法和新方法生成的两种阳极氧化膜进行测试比较。结果表明，新方法生长的阳极氧化膜的质量得到了明显改善。并对新方法工艺条件进行了研究，获得了能提高成膜质量的工艺参数条件。
陆胜天李萍刘诗嘉朱龙源龚海梅
关键词：碲镉汞阳极氧化红外探测器
Au／n-InP接触的热反应特性被引量：1
2005年
研究了离子束溅射制备的Au／n—InP欧姆接触在退火前后的界面特性。400℃10min退火后，比接触电阻比退火前降低了约两个数量级。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性质。实验结果表明在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面，退火后Au的价态升高，AuxIny合金中In的含量增加。退火后，在接触与n—InP的界面产生一个P聚集区，同时Au与InP反应生成Au2P3，金属-InP界面Au2P3的生成是比接触电阻降低的原因。
李萍陆胜天张燕龚海梅
关键词：AESXPS比接触电阻
碲镉汞红外探测器的分步式阳极氧化新方法研究
本文采用小电流腐蚀、脉冲电流钝化、恒压退火的分步式阳极氧化钝化新方法对碲镉汞红外探测器进行表面钝化,利用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)对传统恒流方法和新方法生成的两种阳极氧化膜进行测试比较.结果表明,新方法生...
陆胜天李萍刘诗嘉朱龙源龚海梅
关键词：碲镉汞阳极氧化膜红外探测器表面钝化
Au/n-InP接触的热反应特性
本文研究了离子束溅射制备的Au/n-InP欧姆接触在退火前后的界面特性.400℃10min退火后,比接触电阻比退火前降低了约两个数量级.利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性...
李萍陆胜天张燕龚海梅
关键词：AESXPS比接触电阻离子束溅射退火
半导体器件芯片表面阳极化电极夹持支架
本实用新型公开了一种半导体器件芯片表面阳极化电极夹持支架，包括：升降台和阳极夹具。其特征在于：所说的阳极夹具由夹板和探针组成。在夹板平面的一端开有放置芯片的U型凹槽，凹槽的周边带有夹持芯片的止口，可防止芯片脱落。在夹板平...
陆胜天汤英文朱龙源陈安森龚海梅庄春泉
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