邵丽
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线被引量：1
- 2004年
- 在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm .
- 葛羽屏郭方敏王伟明徐欣游淑珍邵丽于绍欣朱自强陆卫
- 关键词：共平面波导插入损耗传输线CPW高阻硅GH
- 低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现被引量：2
- 2003年
- 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 50Ω和 1 2 0Ω两种特性阻抗的传输线 .由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底 ,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善 .实验中 ,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了 1GHz到 40GHz频段的参数测试 ,利用多线分析技术对测试结果进行了分析 .结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低 ,30GHz处插入损耗约为 7dB/cm ,较腐蚀前降低了 1 0dB/cm .
- 石艳玲忻佩胜邵丽游淑珍朱自强赖宗声
- 关键词：共平面波导插入损耗
- 高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列被引量：2
- 2004年
- 介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好。
- 陈少强朱建中朱自强邵丽王伟明郁可
- 关键词：电化学腐蚀
- 硼离子选择注入制备多孔硅微阵列被引量：2
- 2004年
- 根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 。
- 陈少强邵丽王伟明朱建中朱自强
- 关键词：选择性电化学腐蚀PACC
