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异质结电池衬底表面陷光研究: 异质结(HIT)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,它是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的,所以将绒面结构的单晶硅衬底用于HIT太阳电池,可以增强电池的光吸收效率.本文通过化学湿法腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒,研究...; 赵振越王奉友姜元建杜建王菁赵颖张晓丹; 关键词：异质结太阳电池; 文献传递

效率达13%的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池的研究: 为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag和平面Zn0的方法获得了高...; 侯国付陈新亮张晓丹赵颖赵静白丽莎马骏杜建倪牮刘伯飞索松魏长春; 关键词：电学性能产品质量

太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展被引量：1: 2014年; 主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductive oxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展。主要包括溅射&湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、修饰层改善ZnO薄膜表面技术、梯度杂质掺杂技术、复合特征尺寸生长设计以及直接生长绒面结构ZnO薄膜技术和宽光谱ZnO薄膜生长设计等。此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(Light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望。; 陈新亮田淙升赵慧旭杜建张德坤张德坤魏长春耿新华赵颖; 关键词：太阳电池

低温生长ITO薄膜及其太阳电池应用研究: 氧化铟锡(lndium-Tin Oxide,ITO)同时结合了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应用于硅基太阳电池.本文侧重研究采用反应热蒸发技术低温(～160℃)生长ITO透明导电薄膜过程中不同Sn掺杂对其微...; 杜建陈新亮刘彩池倪牮侯国付赵颖张晓丹; 关键词：ITO薄膜

In2O3：Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究被引量：1: 2014年; 金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜,具有天然的"类金字塔"绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐,影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池的光电转换效率.本文设计了以一层超薄In2O3:Sn(ITO)薄膜(～4 nm厚度)作为中间层的多层膜,并通过对顶层BZO薄膜的厚度调制,改善BZO薄膜的表面特性,薄膜结构为:glass/底层BZO/ITO/顶层BZO.合适厚度的顶层BZO薄膜有助于获得类似"菜花状"形貌特征,尖锐的表面趋于"柔和",而较厚的顶层BZO薄膜仍然保持"类金字塔状"结构."柔和"的BZO薄膜表面结构有助于提高后续生长薄膜电池的结晶质量.将获得的新型"三明治"结构多层膜应用于p-i-n型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池,相比传统的BZO薄膜,电池的量子效率QE在500—800 nm波长范围提高了～10%,并且电池的Jsc和Voc均有所提高.; 赵慧旭陈新亮杨旭杜建白立沙陈泽赵颖张晓丹; 关键词：表面形貌

低温生长ITO薄膜及其在太阳电池中的应用被引量：3: 2014年; 氧化铟锡（ITO）同时结合了可见光范围内高透过率和高电导率等特性,被广泛应用于Si基薄膜太阳电池中。本文侧重研究了采用反应热蒸发（RTE）技术低温（约160 ℃）生长ITO透明导电薄膜过程中不同Sn掺杂含量对薄膜微观结构以及光电性能的影响。实验结果表明,随着Sn掺杂含量的增加,ITO薄膜微观结构稍有变化,薄膜的电子迁移率呈现先增大后减小的趋势,薄膜的光学带隙一定程度上呈现展宽趋势；对于较高的Sn掺杂含量,在低温条件下电离杂质散射和中性杂质散射成为影响电子迁移率降低的重要因素。经过薄膜生长优化,较佳的Sn掺杂含量为6.0wt.%,ITO 薄膜电阻率为3.74×10^－4 Ω·cm,电子迁移率为47cm2/Vs,载流子浓度为3.71×10^20 cm^－3,且在380~900nm波长范围内的平均透过率约87%。将其应用于结构为SS/Ag/ZnO/nip a-S iGe：H/nip a-Si：H/ITO/Al的n-i-p型a-Si：H/a-SiGe：H叠层太阳电池, 取得的光电转化效率达10.51%（开路电压V oc=1.66V,短路电流密度Jsc =9.31mA /cm2,填充因子FF=0.68）。; 杜建陈新亮刘彩池倪牮侯国付赵颖张晓丹; 关键词：薄膜太阳电池

异质结太阳电池硅衬底绒面陷光结构的优化被引量：9: 2015年; 硅异质结(SHJ)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的。将绒面结构的单晶硅衬底应用于异质结太阳电池,可以减少光的反射,增强光吸收的效率,从而提高太阳电池短路电流密度。利用湿法化学腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒,通过优化影响绒面形貌的几个关键参数,包括异丙醇浓度、时间、衬底类型和硅酸钠的含量,最终通过在n型单晶硅衬底上制绒,使波长为1011 nm处最低反射率从制绒前的34.7%降低到了9.14%,将制绒衬底应用到异质结太阳电池上,短路电流由32.06 m A/cm-2提升到36.16 m A/cm-2,有效地改善了SHJ太阳电池的性能。; 王利果赵振越张晓丹王奉友姜元建杜建赵颖刘彩池魏长春许盛之郝秋艳; 关键词：光学设计

硅异质结电池衬底形貌的修饰及其在电池中的应用研究被引量：6: 2014年; 对单晶硅衬底制绒可有效增强其陷光作用,提高硅异质结太阳电池的短路电流.但在沉积非晶硅的过程中,制绒衬底的金字塔沟壑处易出现两相式外延生长,降低电池输出特性参数.对此本文采用两种方法修饰制绒衬底的微观形貌,并将其分别应用到硅异质结太阳电池的制备当中.通过混酸溶液对碱制绒后的衬底进行平滑处理,使金字塔形貌更加平滑,电池开路电压由564.6 mV提高到609.4 mV.此外,采用四甲基氢氧化铵替代碱溶液,发现制绒后的衬底不仅具有良好的陷光效果,且其形貌更为平滑,使得电池的开路电压和转换效率均有明显提升.; 赵振越张晓丹王奉友姜元建杜建高海波赵颖刘彩池; 关键词：金字塔反射率

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杜建