您的位置： 专家智库 > >

李琦

作品数：235 被引量：145H指数：7
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
发文基金：广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 157篇专利
  • 59篇期刊文章
  • 11篇学位论文
  • 7篇科技成果

领域

  • 75篇电子电信
  • 14篇一般工业技术
  • 13篇自动化与计算...
  • 7篇文化科学
  • 4篇经济管理
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇政治法律
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 31篇功率器件
  • 23篇传感
  • 21篇击穿电压
  • 21篇感器
  • 21篇传感器
  • 17篇纳米
  • 15篇透射
  • 15篇波导
  • 14篇沟道
  • 14篇SOI
  • 13篇等离激元
  • 13篇电路
  • 13篇电阻
  • 13篇漂移区
  • 12篇耐压结构
  • 11篇等离子体
  • 11篇滤波器
  • 11篇金属
  • 10篇氧化镓
  • 9篇耐压

机构

  • 197篇桂林电子科技...
  • 40篇电子科技大学
  • 6篇广西科技大学
  • 4篇中国科学院
  • 4篇中国科学院微...
  • 3篇杭州电子科技...
  • 2篇复旦大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇广西师范学院
  • 1篇东南大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇深圳飞骧科技...

作者

  • 234篇李琦
  • 158篇李海鸥
  • 111篇肖功利
  • 100篇陈永和
  • 96篇张法碧
  • 34篇翟江辉
  • 29篇杨宏艳
  • 29篇李跃
  • 27篇首照宇
  • 24篇蒋行国
  • 21篇高喜
  • 21篇李思敏
  • 16篇邓艳容
  • 12篇刘洪刚
  • 12篇马磊
  • 11篇李肇基
  • 10篇唐宁
  • 10篇黄伟
  • 10篇刘小刚
  • 10篇刘利

传媒

  • 14篇桂林电子科技...
  • 6篇微电子学
  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇半导体技术
  • 3篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 3篇半导体光电
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇光学学报
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇大众科技
  • 1篇电子世界
  • 1篇广西师范大学...
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇深圳大学学报...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 11篇2024
  • 18篇2023
  • 8篇2022
  • 23篇2021
  • 24篇2020
  • 24篇2019
  • 26篇2018
  • 34篇2017
  • 10篇2016
  • 18篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 235 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究被引量：6
2015年
采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及"长草"效应的影响。实验结果表明:刻蚀速率随ICP功率、Cl2/BCl3流量、RF功率的增加而增加,但随反应室压强的增加,刻蚀速率先增加后降低;相同RF功率条件下,背孔陡直性受ICP功率、反应室压强以及刻蚀气体流量比的影响十分明显;而RF功率则对背孔"长草"效应有较大影响。通过优化刻蚀条件,在ICP功率为500 W,反应室压强为0.4 Pa,Cl2/BCl3流量为20/5 m L/min,RF功率为120 W的刻蚀条件下,刻蚀背孔陡直性好,侧壁平滑,底部平整,刻蚀速率达到3μm/min。
周佳辉常虎东张旭芳徐文俊李琦李思敏何志毅刘洪刚李海鸥
关键词：感应耦合等离子体GAAS
漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型被引量：3
2008年
提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最大击穿电压的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制,在漂移区中部产生新的峰值,改善电场分布;高掺杂区位于表面,降低了正向导通电阻.结果表明:SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V,导通电阻下降33%.
李琦张波李肇基
关键词：调制漂移区高压集成电路
一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法
本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，包括以下步骤：制备滚筒压印模板；对滚筒压印模板进行防粘处理；采用滚筒压印模板对聚合物薄膜进行压印，干燥后得到具有微纳米结构的多功能薄膜。本发明...
孙堂友曹乐李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧李跃
文献传递
薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型被引量：3
2006年
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结构参数的关系,其解析结果与数值结果吻合较好。在相同长度下,阶梯掺杂漂移区结构(n=3)击穿电压由均匀漂移区(n=1)的200 V提高到250 V,增加25%。该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。
李琦李肇基张波
关键词：降低表面电场击穿电压解析模型
一种核壳结构Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶粒及其制备方法
本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米晶粒及其制备方法，所述Ga<Sub>2</Sub>O<Su...
张法碧肖骁孙巾寓赵昀云张秀云李海鸥陈永和李琦肖功利蒋行国翟江辉孙堂友邓艳容
文献传递
一种GaAs(111)晶圆的清洗方法
本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(11...
李海鸥林子曾曹明民王盛凯刘洪刚李琦肖功利高喜曹卫平
文献传递
低功耗、高可靠性锂离子电池组保护IC关键技术研究
李琦左园翟江辉李德明张法碧宋浠瑜蒋行国李健平匡志伟张冠群
在锂离子电池（组）的研究开发中，提高使用安全性问题一直是研究的重点。锂离子电池是以锂离子的储存与释放为电能转换介质。由于金属锂的化学活性极强，加上电池内部使用了可燃性的有机溶剂，锂离子电池如果发生过充电、过放电、外部电路...
关键词：
关键词：锂离子电池高压器件
表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型被引量：8
2007年
提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析式.借助此模型,研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响;计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系,给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.
李琦李肇基张波
关键词：DOUBLERESURF表面电场击穿电压
D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器
本发明提供了一种D型双芯光子晶体光纤双参量等离子体传感器。所述光纤SPR传感器包括具有开口环形通道和曲面侧壁的D型光子晶体光纤；包括纤芯、空气孔、金属膜、TiO<Sub>2</Sub>层、温敏介质、液体分析物及完美匹配层...
肖功利王博文杨宏艳曾丽珍苏佳鹏林志雄李海鸥李琦张法碧傅涛孙堂友陈永和刘兴鹏王阳培华
文献传递
一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法
本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法，将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内，设置生长参数，使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜，在氧化镓中掺...
张法碧王者风周娟李海鸥孙堂友陈永和刘兴鹏李琦王阳培华廖清陈赞辉首美花彭英傅涛肖功利邓艳容
全选 清除 导出
共24页<12345678910>
聚类工具0