李娟
- 作品数：18 被引量：52H指数：5
- 供职机构：哈尔滨理工大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省科技攻关计划国家自然科学基金黑龙江省研究生创新科研项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程金属学及工艺更多>>
- 纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与表征被引量：12
- 2009年
- 采用微乳化技术制备了铝的纳米氧化物分散液,并将其掺杂到聚酰亚胺基体中,分别制备出质量分数为4%、8%、12%、16%、20%、24%的聚酰亚胺杂化薄膜.利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、热失重分析仪(TGA)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了性能测试和结构表征.结果表明,经铝的纳米氧化物杂化的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能随铝的纳米氧化物掺杂量的增加而提高,当纳米组分的质量分数达到24%时,在60kV/mm的工频电压下,薄膜的耐电晕寿命可达50.7h(IEC343);杂化薄膜的击穿场强随掺杂量的增加而下降;铝的纳米氧化物掺杂量增加可以提高聚酰亚胺薄膜的热分解温度;所掺杂的纳米粒子可以较均匀地分散在聚酰亚胺基体中.
- 陈昊刘俊何明鹏李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺耐电晕
- 电镀金刚石线锯参数的实验研究被引量：13
- 1999年
- 对电镀金刚石线锯条的主要工艺参数进行了实验研究和分析，确定了线锯的金刚石粒度、机床电机转速、侧向压力以及齿长对加工效率的影响规律，获取了最佳的工艺参数，满足了生产实际的需要．
- 李娟曾赣生张玉军毕善斌李雪莉
- 关键词：金刚石线锯工艺参数电镀
- 高相容性纳米氧化铝及其微乳化相转变制备法
- 高相容性纳米氧化铝及其微乳化相转变制备法，一直以来无机纳米氧化铝的制备都是采用溶胶凝胶法，但溶胶凝胶法的化学结构不均匀，化学和物理结构不稳定，所以给掺杂工艺带来困难，一般掺杂的重量百分数不大于10％，改性的效果不明显。先...
- 范勇国宏李娟陈皓
- 文献传递
- 纳米有机硅掺杂聚酰亚胺薄膜的结构与电性能研究
- 调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于杂化聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数 e 和介质损耗因数 tan δ的关系进行了实验研究,并采用 FT-IR,S...
- 李翠翠李娟陈昊张辰威范勇
- 关键词：聚酰亚胺电性能
- 文献传递
- 我国运动服装品牌忠诚度研究
- 随着经济的发展和人民生活水平的提高，我国居民运动服装的消费水平将逐步增长，运动服装业发展前景诱人，我国运动服装业空前繁荣，而且我国运动服装在国际市场上有较强的竞争力，众多的运动服装企业当中也出现了像李宁、安踏、特步等著名...
- 李娟
- 关键词：运动服装服装品牌忠诚度消费者
- 文献传递
- 勃姆铝石/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备和表征被引量：1
- 2009年
- 以异丙醇铝为原料,用水热工艺合成了勃姆铝石溶胶,并通过原位生成法将勃姆铝石溶胶与聚酰亚胺复合,制备了勃姆铝石/聚酰亚胺纳米复合薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、热重分析及耐电晕性能测试分别对勃姆铝石溶胶和勃姆铝石/聚酰亚胺纳米复合薄膜进行了表征。结果表明:勃姆铝石晶体的粒度为20～30nm,勃姆铝石在聚酰亚胺基体中以纳米尺度分散,无团聚现象。纳米勃姆铝石的加入提高了复合薄膜的热稳定性及耐电晕时间。当勃姆铝石含量为9%时,复合薄膜的耐电晕时间是纯聚酰亚胺薄膜的13倍。
- 周宏范勇王晓琳李娟陈昊张明艳
- 关键词：聚酰亚胺复合材料
- 纳米硅/铝氧化物杂化聚酰亚胺薄膜电性能研究
- 为了提高聚酰亚胺薄膜的电学性能,将纳米硅/铝氧化物掺杂到聚酰亚胺（PI）基体中,通过固定掺杂总量,调整纳米硅/铝氧化物的相对质量百分含量制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜。采用SEM（扫描电镜）表征了薄膜的表面形貌,...
- 陈慧丹刘晓玉陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺纳米杂化电学性能
- 文献传递
- 纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与研究被引量：10
- 2010年
- 用溶胶-凝胶法制得纳米氧化铝溶胶,将其掺入到聚酰胺酸基体中,采用原位生成法制备了一系列不同掺杂量的PI/Al2O3复合薄膜。利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了测试及表征。结果表明:随着掺杂量的提高耐电晕时间增大,当掺杂量为30%(质量分数)时PI薄膜的耐电晕时间为57.64 h,是未掺杂的15倍以上。随着掺杂量的提高杂化薄膜电气强度先增大后减小,但都比未掺杂的低。纳米氧化铝粒子在PI基体中分散较均匀。
- 何明鹏刘俊陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺纳米氧化铝电性能杂化
- 聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究被引量：4
- 2008年
- 通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜。对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌。结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低。
- 李翠翠李娟陈昊张辰威范勇
- 关键词：聚酰亚胺电性能
- 高相容性纳米氧化铝及其微乳化相转变制备法
- 高相容性纳米氧化铝及其微乳化相转变制备法，一直以来无机纳米氧化铝的制备都是采用溶胶凝胶法，但溶胶凝胶法的化学结构不均匀，化学和物理结构不稳定，所以给掺杂工艺带来困难，一般掺杂的重量百分数不大于10％，改性的效果不明显。先...
- 范勇周宏李娟陈昊
- 文献传递
