徐大为
- 作品数：14 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SOI单元库版图优化研究被引量：1
- 2009年
- 文章对版图优化方法进行了研究,给出了几种版图优化的方法。通过研究发现,对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现;而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元的源漏周长来实现。通过仿真对比普通结构栅、叉指结构栅和环形结构栅的组成的反向器环振周期,可以发现采用叉指结构和环形栅结构不仅能有效减小单元面积,并且能通过减小源漏周长提高单元速度。
- 徐大为戴昌梅陈慧蓉张雍蓉
- 关键词：SOI
- H型栅NMOS器件Kink效应的研究
- 2024年
- H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生Kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对Kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了Kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件Kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制Kink效应提供了有益的参考。
- 徐大为彭宏伟秦鹏啸王青松董海南
- 关键词：KINK效应PDSOI总剂量辐照TCAD
- VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
- 2024年
- 通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。
- 徐大为徐政吴素贞陈睿凌赵小寒彭宏伟
- 关键词：功率VDMOS器件单粒子效应
- 一种225℃高温应用的LDMOS器件及制造方法
- 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种225℃高温应用的LDMOS器件及制造方法。包括：衬底，在衬底上刻蚀有STI浅槽；SiO2介质层，填充于STI浅槽内，以形成全介质隔离的有源Si区；阱区，形成于有源Si区的一侧；漂...
- 纪旭明李金航潘瑜顾祥郭浩徐晟赵晓松李佳隆张尧张庆东谢儒彬徐大为
- 抗辐照标准单元库验证方法研究
- 2015年
- 对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。
- 徐大为姚进胡永强刘永灿周晓彬陈菊
- 关键词：SOI
- SOI器件的kink效应研究
- 2022年
- 研究了SOI器件中的kink效应,主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对,在输出特性曲线中呈现明显的kink效应,而PMOS器件由于空穴的电离率较低,碰撞电离产生的电子-空穴对远低于NMOS器件,它的kink效应不明显。对源体短接、H型栅和T型栅三种不同结构的NMOS器件进行研究,发现T型栅器件kink效应最明显。比较了不同沟道长度对kink效应的影响,发现沟道越短,kink效应越明显。比较了栅氧厚度对kink效应的影响,发现随着栅氧厚度减小,kink效应越明显,这主要是由于隧穿电流引起的。
- 王青松彭宏伟黄天杨正东朱少立徐大为
- 关键词：SOI器件KINK效应I-V特性
- 一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法
- 本发明涉及一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，包括如下步骤：首先提供P型外延层，在P型外延层上依次形成二氧化硅层和氮化硅层；接着刻蚀形成STI隔离槽，对STI隔离槽底部和侧壁注入氮和氧；然后进行高温退火，使用...
- 徐大为徐蓓蕾曹利超施辉徐何军王印权吴建伟葛超洋黄天
- 一种基于高温SOI CMOS工艺的EEPROM单元及制造方法
- 本申请提供了一种基于高温SOI CMOS工艺的EEPROM单元及制造方法，属于半导体集成电路领域。本发明使用高温SOI CMOS工艺制备两个晶体管(FG和CG管)并通过多晶硅(ploy)相连构成EEPROM单元，仅使用单...
- 常瑞恒顾祥 纪旭明 李金航 张尧 徐晟 赵晓松 郭浩 李佳隆 潘瑜徐大为 张庆东谢儒彬
- H型栅PMOS跨导双峰效应建模被引量：1
- 2022年
- H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用。但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战。针对此问题,基于BSIMSOI仿真模型,利用子电路定义了两条并联的晶体管沟道,建立了H型栅PMOS结构的SPICE模型。该模型可有效表现SOI工艺下的PMOS器件的双峰效应。实验结果表明,与BSIMSOI相比,该文提出的模型误差均方根值(RMS)从6.91%下降至1.91%,同时,利用BSIMSOI的bin参数后,将W较小尺寸的模型RMS值降低了60%以上,可以良好地适用于SOI工艺H型栅PMOS结构建模和电路设计当中。
- 彭宏伟曹梦玲黄天王青松朱少立徐大为
- 一种225℃高温应用的LDMOS器件及制造方法
- 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种225℃高温应用的LDMOS器件及制造方法。包括：衬底，在衬底上刻蚀有STI浅槽；SiO2介质层，填充于STI浅槽内，以形成全介质隔离的有源Si区；阱区，形成于有源Si区的一侧；漂...
- 纪旭明李金航潘瑜顾祥郭浩徐晟赵晓松李佳隆张尧张庆东谢儒彬徐大为
