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张福甲

作品数:110 被引量:209H指数:8
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程核科学技术更多>>

文献类型

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作者

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传媒

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年份

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  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
110 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
2006年
通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
朱博桂永胜周文政商丽燕仇志军郭少令张福甲褚君浩
关键词:拍频
有机/无机光探测器的研制及性能的测试分析
本文报道了有机半导体材料PTCDA在Si表面形成同型异质结制成的光电探测器原理;并将这种器件的光电性能与光电二极管PD和雪崩光电二极管APD的性能进行了全面对比研究,结果表明这种有机/无机光探测器的性能高于PD和APD,...
张福甲冯煜东
关键词:半导体材料光电探测器光电二极管
文献传递
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析被引量:6
2006年
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
欧谷平宋珍桂文明张福甲
GaP(Zn,O)红色LED发光效率退化机理研究
1992年
本文用深能级瞬态谱(PLTS)方法,研究了GaP(Zn, O)红色LED在电致发光效率退化期间最近邻(Zn_(Ga), O_p)离子对的分离和深能级变化情况,分析讨论了发光效率退化的原因。
张福甲王德明
关键词:磷化镓发光二极管发光效率
有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征被引量:31
2003年
叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。
李海蓉张福甲郑代顺
关键词:有机电致发光材料8-羟基喹啉铝ALQ3有机电致发光器件
多模式仿核脉冲随机信号发生器研究被引量:14
2007年
以伪均匀随机数为基础,通过计算和查表产生高斯分布和指数分布随机数,以89C51单片计算机系统为硬件,采用Keil C编程,实现了输出脉冲幅度可以是高斯分布、指数分布及均匀分布等模式,也可以两种以上模式共同输出,输出脉冲时间间隔可以是周期性的,也可以是指数分布的.该随机信号发生器可以实现多种分布模式的输出控制,较好地仿真了核脉冲幅度和时间的随机特性.
李东仓李庆杨磊袁树林杨映辉张福甲
关键词:随机信号高斯分布均匀分布单片计算机
以Liq∶Rubrene为发光层的白色有机电致发光器件的研制被引量:2
2007年
以蓝色发光材料Liq为主体,以一定的比例掺入黄光染料Rubrene,研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8V,当外加电压达到25V时,器件发光亮度达3120cd/m2.
吴有余土克旭李海蓉欧谷平张福甲杨爱国
关键词:白色有机电致发光器件色坐标亮度
Si基有机异质结势垒特性的研究被引量:11
2000年
在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料 艹北 四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及电流 -电压特性。
张福甲王德明张德江甘润今刘凤敏
关键词:硅基复合材料有机半导体材料
绿色GaP—LED中NH_3掺杂的动力学
1991年
本文研究了NH_3作为气相掺杂剂,在GaP-LED层中氮结合的动力学过程;分析讨论了影响外延层中氮浓度的诸因素.
张福甲王德明
关键词:NH3掺杂电致发光器件
短周期超晶格AlP/GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁
1997年
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率。
张福甲王德明孟雄晖刘凤敏甘润今
关键词:光跃迁半导体超晶格
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