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张弦

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金贵州省科学技术基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇动力学
  • 2篇动力学模拟
  • 2篇熔断
  • 2篇分子
  • 2篇分子动力学
  • 2篇分子动力学模...
  • 1篇熔断特性
  • 1篇上网
  • 1篇升温速率
  • 1篇事项
  • 1篇网络
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  • 1篇计算机网
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  • 1篇计算机系
  • 1篇计算机系统
  • 1篇非凸
  • 1篇AG

机构

  • 4篇贵州大学

作者

  • 4篇张弦
  • 2篇高廷红

传媒

  • 2篇现代物理
  • 1篇中国电子商务

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2017
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
浅谈计算机系统以及计算机网络安全的分析
2013年
当今世界科技的进步,带动了网络的发展。在这当中网络安全与信息安全问题日益突出,已经提升至国家安全高度。比如计算机病毒问题以及黑客攻击问题,这些问题严重困扰了互联网技术的安全应用,该文针对目前形势中的计算机系统安全和计算机网络问题。
张弦
几类低秩稀疏矩阵优化问题非凸正则化理论与算法研究
张弦
Ag、Cu微掺杂对Au纳米线熔断时间和熔断位置的影响
2017年
随着高精密仪器设备对熔断器要求的不断增加,设计高精度熔断器成为研究重点。本文基于分子动力学模拟方法,研究Ag、Cu原子掺杂对Au纳米线熔断时间的影响和熔断位置的调控机制。统计分析了不同掺杂形式对Au纳米线熔断时间的影响,结合可视化技术研究熔断过程的微观结构变化情况。研究结果表明:单原子掺杂会一定程度缩短熔断时间,但不会对熔断位置产生明显影响。三层Ag或Cu原子掺杂对纳米线的熔断时间具有较大影响,明显降低了熔断时间。三层Ag、Cu原子掺杂对纳米线熔断位置的影响截然不同,Ag掺杂纳米线的熔断位置出现在掺Ag区域,而Cu掺杂纳米线的熔断位置远离掺Cu区域。Ag和Cu掺杂能够向相反方向调控纳米线的熔断位置,这对设计高精度熔断器意义重大。
高廷红张弦胡雪晨李贻丹任蕾
关键词:分子动力学模拟
升温速率对Au纳米线熔断特性和熔断时间的影响
2017年
由于熔断器在高精密仪器设备中的重要地位,其研制设计已成为研究重点。Au纳米线作为现今备受关注的高精度熔断器材料之一,传统的试制研究将会浪费大量财力和人力,采用分子动力学模拟方法,从微观结构层次研究熔断器熔断特性的影响因素具有重要意义。本文基于分子动力学模拟方法,模拟研究不同升温速率对Au纳米线熔断特性和熔断时间的影响。结果表明:Au纳米线在一定范围内升温速率越大,熔断时间越短,熔断温度越高。不同升温速率对熔断位置没有明显影响,但对熔断过程中缩颈长短有显著影响。升温速率较低时,缩颈部分较长,使得熔断后的断面呈链状,升温速率较高时,缩颈部分较短,使得熔断后的断面呈锥形。该模拟方法可以有效地跟踪熔断过程中结构的变化情况,进而指导不同应用场景的Au纳米线高精度熔断器的研制和设计。
胡雪晨高廷红张弦李贻丹任蕾李凯文
关键词:熔断特性分子动力学模拟
共1页<1>
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