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孙长印

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇光电
  • 3篇光电阴极
  • 3篇GAAS光电...
  • 2篇砷化镓
  • 1篇俄歇分析
  • 1篇NEA
  • 1篇铯

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇张书明
  • 3篇孙长印
  • 3篇侯洵
  • 2篇朱李安
  • 2篇高鸿楷
  • 2篇赛小峰
  • 1篇程昭
  • 1篇何益民
  • 1篇马秀玲

传媒

  • 3篇光子学报

年份

  • 3篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
1996年
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极砷化镓
GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价
1996年
本文对ＧａＡｓ光电阴极片ＵＨＶ系统中原子级表面清洁方法做了研究，它们是：光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法，表面清洁效果用装于ＵＨＶ系统中间在线俄歇检测，表面质量用Ａａ／ＧａＡｕｇｅｒ峰高进行比较，指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法：ＣＳ－离子轰击加退火法和热子背加热法。
孙长印张书明马秀玲侯洵
关键词：砷化镓光电阴极
GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析
1996年
我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇（Ａｕｇｅｒ）能谱仪，以其对ＧａＡｓ光电阴极的制备过程进行在线监测分析，其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测，阴极激活前清洁措施的效果评价和Ｃｓ－Ｏ激活过程中Ａｓ／Ｇａ俄歇信号比对光电灵敏度的影响，Ｃｓ源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果，激活出了１０００μＡ／ｌｍ的反射式光电阴极和５００μＡ／ｌｍ的透射式光电阴极。
孙长印张书明朱李安赛小峰高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极俄歇分析
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