吕英
- 作品数：7 被引量：21H指数：3
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制被引量：2
- 2008年
- 采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.
- 杨伟锋蔡加法张峰刘著光吕英吴正云
- 关键词：4H-SIC响应度
- RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响被引量：12
- 2008年
- 采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学，光学性能的影响。分析表明：所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向，并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜，晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低（3．995×10^-33Ω·cm），可见光区平均透射率为91％。
- 杨伟锋刘著光吕英黄火林吴正云
- 关键词：透明导电薄膜AZO薄膜
- 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法
- 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为...
- 吴正云吕英
- 文献传递
- 氩气压强对射频磁控溅射ZnO∶Al薄膜结构和性能的影响被引量：5
- 2008年
- 以ZnO∶Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO∶A l(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及H all效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时薄膜的电阻率降至最低(2.7×10-3Ω·cm)。薄膜在可见光区平均透射率高于90%,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。
- 刘著光杨伟锋吕英黄火林吴正云
- 关键词：透明导电薄膜AZO薄膜
- ICP刻蚀SiC机制及表面损伤的研究
- 刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质，普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。目前，常采用的SiC刻蚀方法多为等离子体干法刻蚀，其中，ICP刻蚀由于具有可同时提供较高的等离子体密...
- 吕英
- 关键词：碳化硅器件ICP刻蚀
- 文献传递
- 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法
- 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为...
- 吴正云吕英
- 文献传递
- 不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究
- 2007年
- 采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含量均有所增加,表面污染加剧,刻蚀引入的损伤随着工作压强的增加而增加.
- 吕英庞爱锁杨伟锋陈厦平朱会丽吴正云
- 关键词：SICICP刻蚀
