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刘宇: 作品数：48 被引量：3H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信核科学技术交通运输工程建筑科学更多>>

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片上集成FMCW激光雷达研究进展(封面文章·特邀)被引量：1: 2024年; 随着硅基光电子集成技术快速发展,具有测距测速一体、探测精度高、抗干扰能力强的片上集成调频连续波(Frequency Modulated Continuous Wave,FMCW)激光雷达已成为研究热点,并在智能驾驶、航空航天、目标监测和公共安全等领域释放出越来越大的应用潜力。文中聚焦基于光学相控阵(Optical Phased Array,OPA)的片上集成FMCW激光雷达,介绍了系统工作原理及典型组成,针对国内外研究进展,概述分析了片上集成FMCW激光雷达的发展现状,同时从调频、发射、扫描、探测和处理等角度凝练了主要关键技术,并梳理了片上集成FMCW激光雷达在相关领域的应用前景和典型系统示例。最后,分析并展望了片上集成FMCW激光雷达面临的潜在挑战及发展趋势。; 朱精果袁野姜成昊刘宇赵政伟; 关键词：激光雷达调频连续波光学相控阵片上集成

一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...; 刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青

一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法: 本发明公开一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，用于在信息处理过程中，实现一次性对信号进行多级处理。所述三维半导体器件，包括：衬底及由下至上依次形成在衬底上的滤波结构、卷积结构及脉冲输出...; 刘琦汪泳州吴祖恒时拓刘宇张培文刘明; 文献传递

人工突触单元及其制备方法: 本公开提供了一种可用于构建人工脉冲神经网络的人工突触单元及其制备方法，该单元包括：晶体管和离子晶体管，所述晶体管的第一源电极或第一漏电级与所述离子晶体管的第二栅电极串联。所提出的人工突触单元简单，能够较好地模拟生物突触功...; 尚大山李悦刘琦徐晗窦春萌刘明刘宇; 文献传递

一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法: 本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料；在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层；在所述介质层上生长派瑞林涂层；通过光...; 张凯平胡媛刘宇陆丛研赵盛杰张培文谢常青刘明

一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置: 本发明公开了一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。利用本发明，可精确地将反应气体直接输送到样品台附近，...; 刘宇刘明龙世兵谢常青胡媛; 文献传递

全电控自旋纳米振荡器神经元器件: 本发明公开了全电控自旋纳米振荡器神经元器件，该器件包括：左电极、右电极、顶电极、重金属层、非磁性金属层、左反铁磁钉扎层、右反铁磁钉扎层和MTJ；MTJ包括由下至上的铁磁自由层、势垒隧穿层和铁磁参考层；在全电场调控下，直流...; 邢国忠王迪林淮刘龙牛洁斌刘宇王艳许晓欣刘明; 文献传递

一种改善用于Al2O3介质上的光刻工艺的方法: 本发明公开了一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，...; 张凯平刘明谢常青龙世兵陆丛研胡媛刘宇赵盛杰; 文献传递

一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...; 刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青; 文献传递

相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)的X射线辐照致变效应研究被引量：2: 2021年; 相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用。在航空航天、安检扫描等一些特定环境中,X射线辐照会使得相变材料发生结构和性能的变化,研究Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)在X射线辐照下的结构变化就非常必要。对Si衬底上50 nm厚的Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)薄膜材料采用X射线进行不同时间的照射,并利用高分辨率X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)分析了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)的化学形态以及结构的变化。结果表明:随辐照时间的增加,Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)薄膜材料中各元素化学状态及键合方式发生了改变,被氧化的程度也逐渐增强,表现为GeO_2的XPS峰强度增强,Sb_(2)O_(3)、TeO_2分别转变为更高金属价态氧化物Sb_(2)O_(5)和TeO_(3)。研究还确定了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)的极限照射时间为9 h,长时间的辐照作用,使得材料表面受到严重破坏,形成大量孔洞。通过研究Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)在X射线辐照下的结构变化,为Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)相变材料和器件的抗辐照机制及辐射加固技术的研究提供参考。; 何佩谣赵越刘宇王波朱效立; 关键词：X射线光电子能谱化学键