刘健
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种带鉴频功能的抗辐射加固高压换流器设计
- 设计了一种具有鉴频功能的抗辐射加固高压换流器,鉴频范围15KHz～25KHz,输出电压7800V,输出电压建立时间小于1s。通过电路结构的优化,减少了高压输出建立时间,减小了鉴频电路对输出电压的延时。通过线路补偿和工艺加...
- 廖建军余海生刘健
- 关键词：抗辐射加固DC/DC变换器
- 文献传递
- 基于热耦合优化的多叉指双极晶体管结构
- 本发明公开了一种基于热耦合优化的多叉指双极晶体管结构，包括硅基衬底和外延层；所述外延层的双极晶体管器件区中沿其长度方向依次设置有N个叉指结构；每一所述叉指结构分别包括基区、发射区和深集电极接触区，所述基区设置在外延层的顶...
- 洪敏张培健易孝辉唐新悦钱坤杨永晖刘健朱坤峰谢宝强石松幸鹏程廖文龙陈泽吕相林庞一尘王家有
- 带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法
- 本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法，制作方法包括：在第一有源区的衬底中注入形成埋层；在第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区；在埋层的下方通过注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的衬...
- 张培健易孝辉洪敏唐新悦钱坤廖文龙刘健谢宝强臧剑栋朱坤峰张广胜杨永晖幸鹏程石松
- 一种锗虚衬底外延制造方法
- 本申请提供一种锗虚衬底外延制造方法，该方法包括：提供单晶硅衬底；在所述衬底上依次低温外延和高温外延生长锗薄膜，得到第一样品，其中所述第一样品包括依次堆叠的低温外延锗层和高温外延锗层；对所述第一样品进行高温原位退火，以消除...
- 钱坤张培健朱坤峰常小宇唐新悦易孝辉洪敏刘健杨永晖臧剑栋张磊
- 一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法及Si/SiGe纳米线阵列
- 本发明公开了一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法，包括：在Si衬底上依次外延N型Si次集电极，选区外延N型Si集电极；干法刻蚀N‑Si集电极纳米阵列；淀积P+SiGe层形成Si/SiGe基区纳米阵列；选择性外延多晶N+...
- 钱坤张培建 朱坤峰 常小宇 唐新悦 易孝辉 洪敏刘健杨永晖 臧剑栋张磊
- 集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构
- 本发明公开了一种集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构，方法包括：在硅衬底上形成多个浅槽隔离区；在CMOS有源区形成多晶硅栅、栅极氧化硅和轻掺杂区；在HBT区打开基区窗口并形成选择性离子注入区；形成Si Ge基区；形...
- 易孝辉张培健朱坤峰钱坤唐新悦洪敏幸鹏程石松刘健吕相林
- TOPSwitch集成电路在DC/DC电源设计中的应用被引量：4
- 2003年
- 文章介绍了PWM/MOSFET二合一的TOPSwitch系列集成电路及其在DC/DC电源设计中的应用,还介绍了基本反馈方式的DC/DC拓扑结构及其改进措施,并对由TOPSwitch集成电路构成的DC/DC电源进行了抗中子实验。
- 余海生蔡建荣刘健
- 关键词：DC/DC电源电源设计拓扑结构集成控制器
- 一种机载直流浪涌抑制器的设计被引量：5
- 2013年
- 研究了机载28V直流供电系统浪涌电压对DC/DC电源的危害,对影响浪涌抑制电路的各种因素进行了探讨。提出了尖峰抑制电路、过压浪涌抑制电路和欠压浪涌抑制电路的设计方案,并将过压浪涌电路和欠压浪涌电路结合起来。基于以上方法,较全面地评估了电路在启动过程中存在的问题,并设计了滞环比较器。采用提出的方案,设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果均表明,设计的电路满足使用要求。
- 廖建军黄波李文豪刘健尹华
- 关键词：浪涌抑制器滞环比较器
