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于伟东

作品数:13 被引量:16H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 8篇纳米
  • 8篇纳米管
  • 7篇碳纳米管
  • 5篇场发射
  • 3篇金属
  • 3篇金属催化剂
  • 3篇过渡金属
  • 3篇过渡金属催化
  • 3篇过渡金属催化...
  • 3篇催化
  • 3篇催化剂
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇石墨化
  • 2篇石墨化程度
  • 2篇碳纳米管薄膜
  • 2篇配气
  • 2篇配气系统
  • 2篇微结构
  • 2篇微束

机构

  • 13篇中国科学院
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 13篇于伟东
  • 12篇王曦
  • 11篇张继华
  • 7篇柳襄怀
  • 6篇张福民
  • 5篇冯涛
  • 1篇柳湘怀
  • 1篇王永进
  • 1篇徐静芳
  • 1篇邹世昌
  • 1篇李琼
  • 1篇杨传仁
  • 1篇杨文伟
  • 1篇董业民

传媒

  • 2篇上海市真空学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇光散射学报
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理,在衬底表面形成微米级的坑洞,经过后续处理,生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳...
于伟东王曦张继华张福民柳襄怀
文献传递
表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能被引量:2
2006年
研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响。研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性。我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功。
张继华王永进冯涛于伟东王曦杨传仁
关键词:碳纳米管场发射碳化铪
氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法被引量:5
2003年
研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能。测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌。结果表明经氢等离子体处理后,发射性能明显改善,发射点密度由未经处理的104/cm2提高到106/cm2。发现了一种新的碳纳米管结构,称之为多结的碳纳米管,并讨论了样品发射性能提高的可能机理。这种处理提供了一种有效提高发射点密度和基于碳纳米管的平板显示器性能的方法,非常适用于低成本大面积场发射阴极的制作。
张继华冯涛于伟东王曦柳湘怀
关键词:碳纳米管场发射性能电流电压特性表面形貌场发射阴极
LFRF-PECVD法制备碳纳米管材料的工艺、微结构及场发射性能的研究
碳纳米管材料作为纳米材料的一个重要分支,在电子、力学、物理和化学方面具有许多奇特的性能,使得它在单电子器件、场发射冷阴极、储氢和复合材料强化等方面具有很巨大的应用潜力.目前,最具实用化和市场化的应用领域是利用其优异的电子...
于伟东
关键词:碳纳米管微结构
文献传递
PEFAD法制备纳米结构碳材料初探
本文介绍了等离子体增强磁过滤沉积法的特点,特别强调它与其它制备纳米结构碳材料方法的不同.它采用了分立的碳源,避免了由于碳源中含有氢元素对研究其生长过程的影响,具有开发自主知识产权的制备纳米结构碳材料的方法的潜力.采用这种...
于伟东张福民张继华王曦
关键词:等离子体
文献传递
晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法
本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构,以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极,再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列,以达到利用晶体管优良的电流控制特...
张继华杨文伟董业民王曦于伟东冯涛
文献传递
一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理,在衬底表面形成微米级的坑洞,经过后续处理,生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳...
于伟东王曦张继华张福民柳襄怀
文献传递
三色碳纳米管场发射灯的研制被引量:3
2003年
报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/μm^2,发射点密度从~10^3/cm^3增加到~10^5/cm^2。在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件。
冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌
关键词:碳纳米管场发射丝网印刷法
粒子轰击对碳纳米管微结构和场发射性能的影响被引量:8
2004年
研究了粒子轰击对碳纳米管膜微结构和场电子发射性能的影响。研究结果表明,采用多种等离子体处理碳纳米管能改变其微结构,并显著提高场发射点密度,从而改善场发射性能。随着粒子轰击时间的延长,发射电流先降低,然后又增加甚至超过原始碳纳米管膜的发射电流。我们认为发射性能的变化归功于不同的发射机理:粒子轰击处理后,电子由纳米管尖端发射逐渐变为主要从管体上的纳米瘤发射,致使发射点密度显著增加。
张继华冯涛于伟东王曦柳襄怀
关键词:碳纳米管场发射微结构
鳞状碳纳米管
2004年
于伟东张继华王曦张福民
关键词:中间层过渡金属催化剂
共2页<12>
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