陈自新
- 作品数：6 被引量：11H指数：3
- 供职机构：江苏大学机械工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 磁控溅射制备Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜被引量：3
- 2006年
- 本文采用直流磁控溅射的方法,分别在Si、Cu和NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜,研究了不同基底、不同溅射条件和热处理对薄膜成分、组织形貌及结构的影响。结果表明,当溅射功率为22.5W,靶基距为40mm,溅射氩气压为0.1Pa时为最佳工艺参数。Si基片上薄膜比较致密均匀,Cu基片上薄膜则较为疏松,NaCl基片上薄膜表面分布着团簇颗粒,但三种薄膜均可见明显的岛状结构,表明薄膜的形成为核生长型机制。热处理前的薄膜具有部分非晶存在。
- 郭世海张羊换陈自新李长生王国清王新林
- 关键词：NI-MN-GA形状记忆合金磁控溅射
- 铁磁形状记忆合金Ni-Mn-Ga薄膜制备工艺研究被引量：1
- 2005年
- 铁磁形状记忆合金（FSMA）是一种新型智能材料，NiMnGa合金是这种材料的典型代表。使用直流磁控溅射方法在NaCl晶片上制备出Ni—MnGa薄膜，并对影响其制备的主要参数——溅射功率进行了探讨。通过对Ni—Mn-Ga薄膜的成分和薄膜表面性质的分析，得知22．5W为其制备的最佳功率。
- 陈自新李长生郭世海
- 关键词：铁磁形状记忆合金直流磁控溅射
- 用于精密微驱动的微执行器研究被引量：4
- 2006年
- 精密加工和超精密加工是先进制造领域的重要方向之一,而精密微驱动技术,即微执行器技术是精密加工和超精密加工实现的关键,有关微执行器的研究成为机械研究的热点之一。为此,将微执行器进行了简单分类,并对国内外有关微执行器的研究成果进行了介绍。
- 陈自新李长生任荣君
- 关键词：电工学微执行器形状记忆效应压电效应
- MgB_2超导膜制备技术被引量：3
- 2005年
- 介绍了自 MgB_2超导电性被发现以来,用于制备 MgB_2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况。
- 任荣君李长生陈自新罗平辉
- 关键词：超导电性二硼化镁厚膜隧道结
- 铁磁形状记忆合金Ni-Mn-Ga薄膜制备工艺研究
- 2006年
- 铁磁形状记忆合金(FSM A)是一种新型智能材料,N i-M n-G a合金是这种材料的典型代表。本文使用ECR磁控溅射方法在N aC l晶片上制备出了N i-M n-G a薄膜,并对其制备溅射功率进行了探讨。通过对薄膜成分和表面性质的分析,知22.5 W为其制备的最佳功率。对沉积在玻璃片上的薄膜进行衍射分析各其为有序化程度不高的晶态。
- 陈自新郭世海李长生
- 关键词：铁磁形状记忆合金
- 磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的磁致应变
- 2006年
- 采用直流磁控溅射的方法,在NaC l基底上沉积了N i-Mn-Ga薄膜,对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析,并测量了薄膜的磁致应变。结果表明,薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒,具有明显的岛状结构,表明N i-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制。热处理前的薄膜具有部分非晶存在,热处理后薄膜晶化为多晶形态。无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变,在1.3T磁场下,其最大应变值可达-0.008%,并且可以完全恢复。
- 郭世海张羊换陈自新李长生王国清王新林
- 关键词：NI-MN-GA形状记忆合金磁致应变
