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陈敦军

作品数:231 被引量:145H指数:6
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 140篇专利
  • 55篇期刊文章
  • 32篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 68篇电子电信
  • 19篇理学
  • 14篇自动化与计算...
  • 12篇金属学及工艺
  • 11篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 3篇机械工程
  • 2篇建筑科学
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇环境科学与工...
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 29篇探测器
  • 26篇光电
  • 18篇异质结
  • 18篇半导体
  • 17篇光电探测
  • 17篇光电探测器
  • 15篇增强型
  • 15篇ALGAN
  • 15篇GAN
  • 14篇衬底
  • 14篇传感
  • 13篇雪崩
  • 13篇日盲
  • 13篇感器
  • 13篇传感器
  • 12篇电池
  • 12篇量子
  • 11篇电压
  • 10篇太阳电池
  • 9篇金属

机构

  • 213篇南京大学
  • 16篇西北工业大学
  • 13篇河海大学
  • 4篇中国科学院
  • 3篇南京电子器件...
  • 3篇济南冠鼎信息...
  • 2篇北京大学
  • 2篇南京工程学院
  • 2篇南京冠鼎光电...
  • 1篇昌吉学院
  • 1篇常熟理工学院
  • 1篇国家电网公司
  • 1篇山东工商学院
  • 1篇西交利物浦大...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇江苏省光电信...
  • 1篇苏州能讯高能...
  • 1篇中天宽带技术...
  • 1篇苏州捷芯威半...

作者

  • 231篇陈敦军
  • 173篇张荣
  • 154篇郑有炓
  • 80篇谢自力
  • 59篇刘斌
  • 39篇修向前
  • 36篇陈鹏
  • 33篇韩平
  • 30篇陆海
  • 29篇陶涛
  • 28篇张开骁
  • 27篇赵红
  • 18篇任芳芳
  • 18篇雷建明
  • 17篇胡立群
  • 16篇施毅
  • 12篇刘斌
  • 11篇周玉刚
  • 11篇沈波
  • 9篇顾书林

传媒

  • 8篇第13届全国...
  • 7篇Journa...
  • 4篇物理学报
  • 4篇稀有金属
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇西北工业大学...
  • 2篇中国机械工程
  • 2篇材料工程
  • 2篇兵器材料科学...
  • 2篇现代电子技术
  • 2篇电子设计工程
  • 1篇模具技术
  • 1篇电子科技
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇金属学报
  • 1篇水力发电
  • 1篇电子学报
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇光学学报

年份

  • 10篇2024
  • 12篇2023
  • 8篇2022
  • 11篇2021
  • 15篇2020
  • 18篇2019
  • 14篇2018
  • 17篇2017
  • 11篇2016
  • 22篇2015
  • 13篇2014
  • 20篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 7篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 4篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2005
231 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
水质COD的光谱测量装置及测量方法
本发明公开了水质COD的光谱测量装置,流通池固定在遮光箱中,至少两面透光,光源固定在遮光箱内表面,探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面;第一、二样品池设置于遮光箱外,第一水管连通流通池和待测水样,第二水管连通流通池和...
陈敦军张开骁胡立群张荣郑有炓
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用被引量:3
2019年
为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2 μA,在源漏电压400 V时输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别为1 500 pF、32 pF和12 pF,动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240~320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机,在200~1 000 W负载范围内效率明显高于Si器件,最高效率超过95%。
钱洪途朱永生邓光敏刘雯陈敦军裴轶
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管级联结构无线电能传输
新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
铟镓氮表面势垒型太阳电池,选用半导体材料In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N(0≤x≤1)为光吸收区和In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N MS或MIS结构表面势垒型太...
江若琏谢自力张荣文博周建军刘斌陈敦军郑有炓韩平刘成祥
文献传递
日盲紫外DBR及其制备方法
本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR,其结构从下至上依次为:蓝宝石衬底、厚度为d<Sub>1</Sub>的Al<Sub>0.5</Sub>Ga<Sub>0.5</Sub>N模板层、DBR周期层,...
陈敦军张荣郑有炓
文献传递
In_(0.2)Ga_(0.8)N化合物肖特基太阳电池
2008年
制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300mW/cm2的氙灯照射时,In0.2Ga0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91V,短路电流密度为7mA/cm2,填充因子为0.45,功率转换效率为0.95%。
薛俊俊赵红陈敦军谢自力张荣郑有炓
关键词:氮化铟镓化合物半导体肖特基太阳电池
倒序分离吸收倍增型AlGaN/金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种倒序分离吸收倍增型AlGaN/金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器,其结构自下而上依次包括:金刚石衬底、p型金刚石层、AlN缓冲层、i型Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y</Sub>N倍增层、...
蔡青王赛赛游海帆陈敦军张荣
板料成形模拟中动态边界条件的处理被引量:1
2000年
采用塑性有限元法对金属板料成形过程进行数值模拟时 ,为获得可信的计算结果 ,需要对工件与模具间动态接触边界条件进行处理。本文在全面分析成形中工件与模具接触边界动态变化的基础上 ,给出了动态边界条件识别与处理的具体方法。通过具体应用实例分析 ,证明了该方法应用于板料塑性成形分析的可行性。
向毅斌陈敦军吴诗惇
关键词:板料成形有限元模拟
表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED及其制备方法
本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED,其结构从下至上依次为:基底层、n型GaN层、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/GaN多量子阱有源层、p型GaN层,其特征在于...
张荣张国刚刘斌任芳芳谢自力陈鹏郭旭葛海雄修向前赵红陈敦军陆海韩平施毅郑有炓
文献传递
GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化
本工作根据现有GaN 金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)生长动力学理论,结合具体的MOCVD 反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗...
符凯张禹陈敦军韩平谢自力王荣华张荣郑有炓
关键词:金属有机物化学气相淀积生长速率表面形貌氮化镓薄膜
文献传递
低功率电流自锁LED控制器
本发明公开了一种低功率电流自锁LED控制器,包括整流桥、电阻、电容C1、二极管、三极管、恒流控制单元、电压采样单元、电压偏置单元、开关和LED灯串;电压采样单元的输入端与整流桥的输出端连接,电压采样单元采样输入电压,开关...
陈敦军雷建明张荣郑有炓
文献传递
共24页<12345678910>
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