问明亮
- 作品数:6 被引量:7H指数:1
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- 快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响
- 2011年
- 使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响。结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化。在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降。碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变。
- 问明亮周陈菊杨成林梁萍兰席珍强
- 关键词:碳化硅薄膜少子寿命
- 太阳电池用α-SiCx:H薄膜的稳定性研究
- 高效率低成本的晶体硅太阳电池的制备对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。制备性能优良的减反射钝化薄膜是生产高效率低成本晶体硅太阳电池的重要工序之一。采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备制备的硅太阳电池减反...
- 问明亮
- 关键词:太阳电池PECVD法稳定性
- 文献传递
- PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究被引量:5
- 2010年
- 利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
- 张瑞丽杜红文张亚萍杜平凡问明亮张秀芳席珍强
- 关键词:PECVD碳化硅薄膜正交实验
- 一种制备锗烷的方法
- 本发明公开了一种制备锗烷的方法。以锗化镁和氯化铵为原料,用液氨作为反应介质,制备锗烷。反应按方程式:Mg<Sub>2</Sub>Ge+NH<Sub>4</Sub>Cl-GeH<Sub>4</Sub>+2MgCl<Sub>...
- 席珍强杜平凡张瑞丽问明亮
- 文献传递
- 太阳电池用α-SiCx:H薄膜热处理性能研究被引量:1
- 2012年
- 对不同温度下PECVD沉积的α-SiCx:H薄膜进行750℃、30s的快速热处理性能研究,并利用紫外-可见-近红外分光光谱仪、光学膜厚测试仪和微波光电子衰减仪对样品反射率、折射率和少子寿命进行表征。结果表明,快速热处理会使α-SiCx:H薄膜折射率升高,但对薄膜反射率的影响不大。较低温度(<300℃)沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果提升,较高温度(≥300℃)沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果有所下降。
- 蒋敏问明亮席珍强
- 关键词:光学性能
- 氧化物对(111)锗片表面少子寿命的影响研究被引量:1
- 2011年
- 为了提高(111)锗片表面少子寿命,分别采用体积分数30%过氧化氢和硝酸作为氧化剂,对试样表面进行湿化学氧化,得到表面的氧化层。利用微波光电导衰减仪测量试样在氧化反应前后的少子寿命变化情况,采用X射线光电子能谱测试样的Ge3d谱图,并进行机理分析。结果发现:经过过氧化氢处理的试样少子寿命得到很大提高,分析是由于GeO2钝化了锗表面悬挂键而达到了钝化效果。
- 杨成林梁萍兰问明亮席珍强
- 关键词:过氧化氢锗氧化物少子寿命XPS