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蒋仕级

作品数：9 被引量：14H指数：3
供职机构：云南大学物理科学技术学院物理系更多>>
发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氧化层
  • 2篇R-N
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子谱
  • 1篇电阻率
  • 1篇镀铬
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化层厚度
  • 1篇阴极
  • 1篇圆偏振
  • 1篇圆偏振光
  • 1篇折射率
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇色心
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振光
  • 1篇中子
  • 1篇中子辐照
  • 1篇椭圆偏振
  • 1篇椭圆偏振光

机构

  • 9篇云南大学
  • 5篇洛阳工学院
  • 4篇桂林电子工业...
  • 2篇新疆石油学院
  • 1篇四川联合大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 9篇蒋仕级
  • 5篇陈庆东
  • 5篇成钢
  • 2篇张晋
  • 2篇顾晓东
  • 2篇张树波
  • 2篇林理忠
  • 2篇林理彬
  • 1篇王光灿
  • 1篇施海燕
  • 1篇俞帆
  • 1篇卢勇
  • 1篇字正华

传媒

  • 4篇云南大学学报...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇新疆石油学院...
  • 1篇桂林电子工业...
  • 1篇思茅师范高等...

年份

  • 1篇1999
  • 8篇1998
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
自制低温电阻测量系统的分析研究
1999年
自制低温电阻测量系统，用该系统成功地测量了样品电阻率随温度变化的特性．实验中设计了一个包括制冷、测温、控温、测电阻车在内的冷头，准确地用四端引线法测量了样品的电阻率；对所列样品的峰值温度以上的部分用载流子的可变程跃迁和热激活两种模式拟合处理，结果表明，载流子的迁移遵从可变程跃迁导电模式而不是热激活形式．
字正华施海燕张树波蒋仕级
关键词：电阻率测温
用椭圆偏振光方法研究铬薄膜的氧化过程被引量：3
1998年
应用空心阴极离子镀膜技术，制备了纯铬薄膜样品。样品可在不同的温度和时间下进行退火处理。同时应用椭圆偏振测量术的多角入射法对Ｃｒ薄膜氧化层的厚度进行了测定，讨论了退火温度和退火时间对其氧化的影响。
成钢陈庆东蒋仕级
关键词：氧化层厚度
利用XPS测多层膜厚度被引量：1
1998年
本文利用空心阴极离子镀膜技术制备了纯Cr膜（基底为硅片），利用XPS分析技术，得出在Cr膜表面存在一层氧化层，并测出了其厚度。
顾晓东蒋仕级
关键词：X射线光电子谱多层膜镀铬
Cr-N薄膜制备、结构及机械性能的研究被引量：4
1998年
利用空心阴极放电离子镀（ＨＣＤ）技术，在低合金钢（６５Ｍｎ）基底上沉积ＣｒＮ薄膜。
陈庆东成钢蒋仕级
关键词：空心阴极离子镀显微硬度
Cr薄膜氧化过程的AR-XPS研究被引量：4
1998年
应用空心阴极离子镀（ＨＣＤ）技术在玻璃基片上镀一层均匀纯Ｃｒ薄膜．用角分辨ＸＰＳ（ＡＲＸＰＳ）方法对Ｃｒ薄膜在Ｔ＝３００Ｋ，ｐ＝１．３×１０５Ｐａ条件下的氧化层厚度进行测定，数据用最小二乘法处理．Ｃｒ薄膜氧化０．５ｈ后，其氧化层厚度约为０．７５ｎｍ，３０ｄ以后其氧化层厚度约为３．１２ｎｍ．
成钢陈庆东顾晓东蒋仕级
关键词：氧化层
Cr-N薄膜N含量对折射率的影响被引量：1
1998年
应用空心阴极离子镀制备了ＣｒＮ薄膜．用椭圆偏振测量术对ＣｒＮ薄膜进行测量，用求极值的方法得到了它们的光学常数，并对不同含Ｎ２量的ＣｒＮ薄膜光学常数进行了比较．
成钢陈庆东蒋仕级
关键词：光学常数
Cr_2N薄膜抗氧化性能的研究被引量：2
1998年
采用空心阴极放电离子镀（ＨＣＤ）技术，在硅基片上沉积ＣｒＮ薄膜．用Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ）分析了氮气分压对沉积的ＣｒＮ薄膜结构的影响．用电子探针（ＥＰＭＡ）及椭偏仪研究了Ｃｒ２Ｎ，Ｃｒ薄膜在大气环境里不同温度下的抗氧化性能．
陈庆东成钢张树波蒋仕级
关键词：抗氧化性
Sr∶BaF_2晶体电子辐照诱生F型色心及其转型研究
1998年
测试和分析了Ｓｒ∶ＢａＦ２晶体电子辐照前后以及辐照着色的样品光致转型过程的吸收谱。研究结果表明，能量为１．５ＭｅＶ和１．８ＭｅＶ的电子束对Ｓｒ∶ＢａＦ２晶体的辐照注量达１０１５～１０１６ｃｍ－２时，诱生ＦＨ对、Ｆ心及其与杂质的复合色心。用波长为６３２．８ｎｍ的ＨｅＮｅ激光照射电子辐照着色的样品，可使Ｆ心转型成ＦＡ（Ｓｒ２＋）心；再用钠光（５８９．０，５８９．６ｎｍ）照射，又可将ＦＡ（Ｓｒ２＋）心部分回转成Ｆ心。
张晋林理彬蒋仕级陈军刘梅林理忠
关键词：电子辐照
V∶Al_2O_3的电子及中子辐照改性研究被引量：1
1998年
测量和分析了Ｖ∶Ａｌ２Ｏ３晶体在电子辐照前后的吸收谱、发射谱和正电子湮没寿命及强度。结果表明：电子辐照可使Ｖ∶Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｖ离子变价，而中子辐照在晶体中诱生Ｆ２＋２和（Ｖ３＋－Ｆ＋２）心。（Ｖ３＋－Ｆ＋２）心可发射４５０～５６０ｎｍ的连续荧光。这一蓝绿波段的荧光带可望应用于可调谐激光器。
张晋林理彬林理忠蒋仕级卢勇王光灿俞帆
关键词：激光晶体三氧化二铝
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