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离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜被引量：1: 1997年; 采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。; 牟海川任琮欣陈国梁陈国梁杨石奇朱建中; 关键词：氧化物半导体离子束辅助沉积

离子束辅助沉积铂膜的成型模具: 本发明是离子束辅助沉积铂膜的成型模具，属于真空蒸发、溅射及离子注入膜层形成材料涂覆的技术领域，它是在成型模具基体上用离子束辅助沉积形成3—20微米的铂膜，用氮或惰性气体作为清洗和轰击离子源的放电气体，用惰性气体作为溅射离...; 孙义林张福民陈酋善牟海川; 文献传递

离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺: 本发明是离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺，属于真空蒸发、溅射及离子注入膜层形成材料涂覆的技术领域，它是在成型模具基体上用离子束辅助沉积形成3—20微米的铂膜，用氮或惰性气体作为清洗和轰击离子源的放电气体，用惰性气体作...; 孙义林张福民陈酋善牟海川; 文献传递

低剂量SIMOX圆片研究被引量：3: 2001年; 用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的; 陈猛陈静郑望李林牟海川林梓鑫俞跃辉王曦; 关键词：低剂量 SIMOX SOI 集成电路

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牟海川