段海明
- 作品数：81 被引量：91H指数：5
- 供职机构：新疆大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 3d过渡金属掺杂对Cd_(12)O_(12)纳米线电子和磁性能的影响被引量：2
- 2021年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了3d过渡金属元素(Sc、Ti、Cr、Mn、Co、Cu和Zn)掺杂Cd_(12)O_(12)纳米线的几何结构,电子结构和磁性.结果表明:所有掺杂体系均是热力学稳定的;掺杂Ti或Zn时体系保留了原有的非磁半导体特性,掺杂Mn、Co或Cu时能够实现磁性半导体态,而在掺杂Sc(Cr)时体系转变为非磁性金属态(磁性金属态).研究结果表明,掺杂3d过渡金属元素的Cd_(12)O_(12)纳米线在电子、光电和自旋电子学领域具有潜在的应用价值.
- 郭笑林段海明
- 关键词：密度泛函理论电子结构
- Fe_n、Ni_n(n=2～100)团簇基态结构与能量的模拟淬火算法研究
- 2013年
- 采用Gupta多体势结合分子动力学模拟退火及淬火方法，分别求解了Fen及Nin（n=2～100）团簇的最低能几何结构及能量．结果表明：在所研究尺寸范围内除少数团簇的结构不同外，两类团簇具有相似的基态几何结构，在两类团簇结构演化中皆存在类Ik、类Oh、类Dsh和Ih＆D5h互嵌套类构型之间的竞争；分析团簇二阶差分能和剩余能表明两类团簇共同的幻数序列为：n=13、19、23、38及55，不同处为Ni26及Fe75也分别为相应体系幻数团簇．对两类团簇分析其平均最近邻原子间距及平均配位数均可给出幻数成因．在所研究团簇尺寸范围内二者平均结合能均表现出随团簇尺寸增大而总体增大的普遍趋势，但Ni团簇的能量演化明显快于Fe团簇，这与实验观测镍团簇磁性演化明显快于铁团簇是完全一致的．
- 阿布来提·阿布力孜买力坦·开来木热比古丽·图尔荪姜园园段海明
- 关键词：GUPTA势团簇基态分子动力学
- 稀磁半导体（Ga,Cr）N的第一性原理研究
- ＜正＞现代信息技术通常利用电子的电荷特性来处理信息,然而对于信息的存储则使用的是电子的自旋特性。比如由半导体材料制成的大规模集成电路和高频电子器件都是利用电子的电荷特性来进行信息的处理,而信息存储的任务则由硬盘、磁盘等一...
- 蔺何段海明
- 关键词：计算物理学稀磁半导体密度泛函理论
- 文献传递
- 3d过渡金属元素掺杂Al_(12)N_(12)纳米线几何结构和电子性能的第一性原理研究
- 2023年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了不同3d过渡金属元素(Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂Al_(12)N_(12)纳米线的几何结构、稳定性和电子结构.结果表明:所有掺杂体系均是热力学稳定的;掺杂Ni时体系保留了原有的非磁性间接带隙半导体特性;当掺杂其它原子(Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co)时体系仍然保持为半导体,但带隙明显减小.掺杂过渡金属原子对于Al_(12)N_(12)纳米线的电子结构具有明显的调控作用,在能带调控和光电方面有潜在的应用前景.
- 王翠军王志腾陈轩陆树伟段海明
- 关键词：过渡金属原子
- 遗传算法研究Ptn(n=2-57)团簇的基态结构特性被引量：8
- 2008年
- 采用紧束缚势结合遗传算法系统的研究了Ptn（n=2～57）团簇的基态结构特性．结果表明：在铂团簇的生长中除类二十面体结构外，还存在类十五面体和类fcc构型与之竞争．通过讨论团簇的平均束缚能Eb、二阶差分能△2E（n）和剩余能△E（n），发现铂团簇平均束缚能随原子数目的增加而增大，n为13、22、24、30、38、48和54为其幻数序列．
- 尹红梅段海明赵新军
- 关键词：遗传算法
- Rhn、Con（n=3～56）团簇的结构特性研究被引量：12
- 2007年
- 采用半经验的Gupta多体势结合遗传算法对Rhn、Con（n=3～56）团簇的基态结构特性进行了系统的研究.除在n=18～40尺寸范围内有少数团簇的构型不同,两种团簇具有相似的几何结构.在Rhn、Con（n=3～56）团簇的生长中,存在类Ih构型与类fcc构型之间的竞争,对于n≤24,两种团簇都从紧致密堆积结构过渡为类二十面体构型,Rh38及Co38为具有Oh对称性的类fcc构型,从n=39开始,铑团簇和钴团簇都呈现出明显的Ih生长模式.两种团簇的平均束缚能随原子数目的增加而增大,且在所研究的尺寸范围内铑团簇的平均结合能高于钴团簇.Rhn、Con（n=3～56）团簇具有相同的幻数序列：n=13,19,23,38,55.
- 张蓓段海明张军
- 关键词：遗传算法
- 不同势下铱团簇结构和熔化行为的分子动力学模拟被引量：15
- 2009年
- 采用分子动力学方法及淬火技术,结合Gupta势和Sutton-Chen势,模拟研究了包含13,14,55,56,147及148个原子数的铱团簇的熔化行为.结果表明,Gupta势和Sutton-Chen势对所研究的Ir团簇的基态几何结构和熔化行为给出了基本一致的描述:两种不同势给出了完全相同的基态几何结构;两种势给出的Ir团簇熔点及预熔化区间随团簇尺寸的变化关系基本一致;对于小Irn团簇(n=13,14)两类势均表现出比热峰值相对于均方根键长涨落饱和值滞后的现象.但是,包含相同原子数的Ir团簇在Gupta势下的熔点均高于在Sutton-Chen势下的熔点,出现该区别的主要原因是Gupta势所给出的包含相同原子数的Ir团簇基态与第一激发态的能量差均高于在Sutton-Chen势下的相应值.
- 刘建廷段海明
- 关键词：分子动力学熔化
- 遗传算法结合不同势研究Ir_n(n=2-60)团簇结构特性被引量：5
- 2008年
- 采用Gupta势和Sutton-Chen势结合遗传算法系统地研究了Irn（n=2-60）团簇的基态结构特性．结果表明：在所讨论的尺寸范围内，n≥4时Gupta势比Sutton-Chen势描述的铱团簇的平均束缚能稍高；n=2～60间，大部分Ir团簇在两种势下具有相同的几何结构，在，n=22、29、35、37时两种势描述的团簇对称性不同．两类势都表明：在铱团簇的生长中，存在类Ih构型、类fcc构型和类十五面体构型之间的竞争；总体上，铱团簇的平均束缚能、平均近邻原子间距及平均配住数均随原子数目的增加而增大．两种势所描述的铱团簇具有相同的幻数序列（13、19、23、38和55）．
- 刘爱霞段海明
- 关键词：遗传算法GUPTA势
- 稀磁半导体(Ga,Cr)N的第一性原理研究
- 本文运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验吻合.在包含两个Cr原子的体系中Cr原子之间是铁...
- 蔺何段海明
- 关键词：计算物理学稀磁半导体密度泛函理论
- 文献传递
- A_nC_2(A=Fe,Co,Ni,Cu)团簇的密度泛函研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 采用平面波基矢及超软赝势使用密度泛函理论方法详细地研究了AnC2(A=Fe,Co,Ni,Cu,n=1-3)团簇的几何结构,结合能和磁性.对双原子分子团簇(A2及AC)所得结果与以往的实验和计算结果基本一致.除了Fe3C2和Co3C2的基态几何结构是三角双锥之外,其他混合团簇的基态几何结构都是平面构型.计算结果表明,加入碳原子会增加An团簇的稳定性,在AnC2团簇中,An(A=Fe,Co,Ni)与C2的相互作用相比Cun和C2的相互作用要强.
- 曹彪炳段海明
- 关键词：过渡金属团簇密度泛函理论
