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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇荧光
  • 1篇光谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇发光特性研究
  • 1篇非晶
  • 1篇SIO
  • 1篇X

机构

  • 1篇东华理工大学
  • 1篇苏州大学

作者

  • 1篇李群
  • 1篇黎定国
  • 1篇梁坚
  • 1篇吴雪梅
  • 1篇邓玲娜
  • 1篇诸葛兰剑

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
非晶SiO_x:C薄膜的发光特性研究被引量:2
2006年
采用双离子束溅射法制备了SiOx:C非晶薄膜,在室温下可观察到薄膜样品有强的420nm(紫光)、470nm(蓝绿光)的光致发光(PL)。分别对样品在不同温度下退火后,PL测试显示随着退火温度的升高420nm处的峰带逐渐增强变为强的发光峰;470nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由与氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致;420nm范围的峰带可能来自于薄膜中由C单质、以及Si、O、C三者组成的一个复杂结构。
李群梁坚黎定国邓玲娜吴雪梅诸葛兰剑
关键词:荧光光谱
共1页<1>
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