杨玲
- 作品数：138 被引量：78H指数：4
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西高校百名中青年学科带头人计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程电气工程更多>>
- 溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
- 2013年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。
- 王华燕红黄竹许积文杨玲
- 关键词：溅射功率光电性能
- 一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：(1‑x)BaTi<Sub>0.90</Sub>Sn<Sub>0.10</Sub>O<Sub>3</Sub>‑xCa<Sub>2<...
- 周昌荣许积文曾卫东黎清宁杨玲袁昌来陈国华饶光辉
- 文献传递
- (K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)-(Ca_(0.5)Sm_(0.5))(Mg_(0.5)Nb_(0.5))O_(3)铁电陶瓷的光致介电响应与光致发光
- 2024年
- 介电常数在光照下发生改变的特性可用于开发新型光控器件。采用传统固相烧结法制备了不同物质的量比的(1-x)(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)-x(Ca_(0.5)Sm_(0.5))(Mg_(0.5)Nb_(0.5))O_(3)(KNN-x CSMN,0.02≤x≤0.06)陶瓷,研究了其结构与光致介电响应行为。引入CSMN组分后,陶瓷的相结构由正交相转变为赝立方相,晶粒尺寸明显减小。在365 nm波长的光照下观察到明显的光致介电响应,并在x=0.03和测试频率为80 Hz时陶瓷具有高达约249%的介电可调率。弥散指数从1.43增加到1.82表明其弛豫行为增强,光学带隙从3.00 eV降低到2.36 eV。在406 nm波长的光激发下陶瓷的光致发射光谱显示出强烈的橙红色发射。同时,在光的开与关状态下其电容值呈现出可逆的开关特性,电容比约为3.5。这些结果有助于探索新型非接触式器件,如光调电容式传感器、光开关。
- 罗文柳杨玲叶懋欧阳竑许积文唐纳
- 关键词：铌酸钾钠光致发光
- 溅射压强和退火气氛对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响被引量：1
- 2011年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85%以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响;室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降。
- 王华燕红许积文江民红杨玲
- 关键词：磁控溅射溅射压强光电性能
- 一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
- 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1‑x)K<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub>NbO<Sub>3</Sub>‑xSr...
- 王华胡岗斌王名昌汪江婷刘浩男杨玲
- 文献传递
- 一种Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法
- 本发明公开了一种Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的Mg<Sub>x</Sub>Z...
- 王华高书明许积文杨玲周尚菊
- 文献传递
- 一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi<Sub>4</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、...
- 许积文王华周尚菊杨玲丘伟张玉佩
- 文献传递
- (K_(0.45)Na_(0.55))_(0.98)Li_(0.02)Nb_(0.77)Ta_(0.18)Sb_(0.05)O_3-Co_(0.85)Cu_(0.15)Fe_2O_4复合陶瓷的磁电性能研究
- 2016年
- 以压电体(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和压磁体Co0.85Cu0.15Fe2O4为原料,通过传统的固相反应法制备了(1-x)[(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3]-xCo0.85Cu0.15Fe2O4多铁性复合陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、压电测试仪、铁电测试仪和磁电耦合测试仪对物相、显微结构、压电、铁电、磁电耦合性能进行了分析。结果表明,复合陶瓷的相结构保持为(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和Co0.85Cu0.15Fe2O4两种物相,但两者之间发生了轻微的化学反应。随着Co0.85Cu0.15Fe2O4压磁相含量的增加,复合陶瓷的压电系数从56pC/N减小到21pC/N,剩余极化强度略有降低。在压磁相含量为0.2时可获得4.3mV·cm-1·Oe-1的最佳磁电耦合系数。
- 杨玲袁昌来许积文周昌荣周秀娟杨云
- Nb掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的微结构与介电性能研究
- 2009年
- 采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)铁电陶瓷。用XRD和AFM对其微观结构进行了分析,研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响。结果发现,微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构,但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度。同时,Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰,适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗。
- 黄小丹王华任明放许积文杨玲
- 关键词：铁电陶瓷介电性能BIT微结构
- 制备条件对TiO_2薄膜结构和光学性能的影响被引量：3
- 2007年
- 借调节sol-gel法中溶胶的pH值,薄膜的热处理温度,研究了它们对TiO2薄膜的晶相组成、晶粒大小、表面结构和紫外及可见光吸收性能的影响。结果表明:pH为7时有利于TiO2由锐钛矿向金红石相转变,薄膜的孔隙度为94nm,有较高的表面粗糙度。pH值升高,TiO2薄膜的孔隙度和颗粒度增大;热处理温度升高,薄膜的紫外吸收发生红移,可见光波段透射率降低,故最佳热处理温度为500℃。
- 杨玲王华袁昌来任明放许积文
- 关键词：无机非金属材料TIO2薄膜
