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多孔硅材料的电致发光特性及多孔形成机理的研究被引量：5: 1997年; 系统考察了衬底硅材料的掺杂类型、晶向、阳极氧化电流密度、时间等工艺条件对多孔硅电致发光特性的影响，考察了其微观结构．实验表明，电流密度的增大或氧化时间的增长，使多孔硅的光发射谱（ＰＬ）“蓝移”、发光持续时间延长，当ＨＦ与乙醇的配比为１１时，有较强的发光强度．多孔硅具有“树枝”状或“网”状的结构，其形成与电流密度、硅基片的类型、掺杂浓度以及晶向有关．用ＤＬＡ（Ｄｉｆｕｓｉｏｎ－ＬｉｍｉｔｅｄＡｇ－ｇｒｅｇａｔｉｏｎ）模型研究了多孔硅的多孔形成过程和机理，讨论了多孔硅的多孔形成与工艺条件的关系．; 邹秦张清琦; 关键词：多孔硅电致发光半导体

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张清琦