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姜贯军

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 13篇半导体
  • 6篇功率器件
  • 6篇半导体功率器...
  • 5篇晶体管
  • 4篇低压CMOS
  • 4篇电源
  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇绝缘栅
  • 4篇绝缘栅双极型...
  • 4篇击穿电压
  • 4篇表面电场
  • 3篇势垒
  • 3篇半导体器件
  • 2篇低功耗
  • 2篇电导
  • 2篇电极
  • 2篇电源管理
  • 2篇电阻
  • 2篇多晶

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇姜贯军
  • 14篇李泽宏
  • 14篇余士江
  • 11篇张超
  • 11篇李婷
  • 9篇张波
  • 9篇任敏
  • 8篇谢加雄
  • 7篇肖璇
  • 5篇刘小龙
  • 4篇张帅
  • 2篇胡涛
  • 2篇吴宽
  • 2篇邓光平
  • 2篇钱振华
  • 2篇张金平
  • 2篇谢家雄
  • 1篇李吉
  • 1篇任敏
  • 1篇张仁辉

传媒

  • 2篇2011’全...

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 10篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管
一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管具有一个结型场效应管区(4)和一个电子积累层结构(12)；所述结型场效应管区(4)由两个深P体区(5)和之间的...
李泽宏姜贯军余士江邓光平李婷谢加雄张超任敏刘小龙张波
一种高压BCD半导体器件的制造方法
一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备DNW；制备场氧；制备N阱、P阱；制备栅及场板；制备NSD；制备PSD；退火；NSD/PSD推结；制备欧姆孔；形...
李泽宏谢加雄余士江姜贯军张帅钱振华李婷张超任敏肖璇张波
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一种具有横向复合缓冲层结构的LDMOS器件
一种具有横向复合缓冲层结构的LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在现有的LDMOS器件漂移区内的导电通道区域引入横向复合缓冲层结构。该横向复合缓冲层结构由横向间隔排列的N型掺杂柱区和P型掺杂柱区构成，且N型...
李泽宏姜贯军李婷余士江张仁辉任敏张金平张波
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一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管
本文提出了一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管(BCMD).理论分析了BCMD的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对BCMD进行了模拟仿真分析,结果表明：在相同耐压110V下,BCMD的正向压降(0.3 V)比常规P...
余士江李泽宏姜贯军朱海龙张金平任敏
关键词：性能评价正向压降模拟仿真
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基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计
LDMOS是功率集成电路的主要功率器件.本文在已成功设计的700 V Double RESURF LDMOS基础上，提出了采用高能离子注入工艺制作双通道LDMOS的方法.利用TCAD仿真软件对主要的工艺参数和器件电学参数...
姜贯军余士江李泽宏任敏张金平张帅董科陈俭
关键词：功率集成电路
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一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管
一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管中引入沟槽型多晶硅体电极，通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺...
李泽宏张超刘小龙李婷姜贯军余士江
一种低压埋沟VDMOS器件
一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时...
李泽宏姜贯军余士江李婷谢加雄任敏李吉肖璇张波
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一种非外延高压BCD器件的制备方法
一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及...
李泽宏姜贯军余士江谢加雄张帅胡涛李婷张超任敏肖璇张波
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一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P<Sup>+</Sup>体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极...
李泽宏张超肖璇吴宽姜贯军余士江谢家雄
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一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件
一种极低导通电阻浅槽埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成积累层而反向电压时形成耗尽层。金属氧化物半导体结构的栅氧化...
李泽宏余士江姜贯军谢加雄李婷任敏张超刘小龙张波
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