夏姣贞
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华东理工大学更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 低温沉积ZnO多层膜的结构与压敏性质
- ZnO压敏电阻以其优良的过压保护及高能浪涌吸收特性,在电压敏感元件的研制及众多应用领域中占据主导地位。随着大规模和超大规模集成电路的发展,对高非线性特性、低压敏电压的小功率压敏电阻器的需求不断提高。采用薄膜技术制备的Zn...
- 陆慧夏姣贞杜明贵潘孝仁
- 文献传递
- 衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究被引量：2
- 2005年
- 由GDARE法在较低温度下,以玻璃为衬底沉积ZnO薄膜,用SEM、AFM、XRD及交流阻抗谱测量等方法研究了衬底温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及晶体导电性质的影响.研究结果表明,室温下沉积的薄膜为颗粒致密的非晶相结构,晶界电阻较小.在衬底温度大于50℃时,由GDARE法可沉积出具有一定c轴取向的ZnO薄膜.随衬底温度的升高,薄膜沿c轴择优生长趋势明显增强,内应力减小,晶界效应增强,晶界电阻增大.衬底温度大于100℃后,沿c轴的取向度增强趋势减缓.在衬底温度180～200℃时,可获得高度c轴取向的ZnO超细微粒薄膜,其结晶性能良好,表面光滑,平均粒径30～40nm,晶粒尺寸均匀,晶形规则,沿c轴的内应力很小,取向度达0.965.此时薄膜的晶界效应增强,晶界电阻明显大于室温下沉积的薄膜,而晶粒电阻所占比例很小,总阻抗以晶界电阻为主.同时还讨论了衬底温度对薄膜晶体结构及晶界特性的影响机理.
- 陆慧阴其俊夏姣贞潘孝任
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度晶体结构应力阻抗谱
- 低温沉积ZnO薄膜的压敏特性及其热处理影响被引量：4
- 2006年
- 采用GDARE法在较低温度下，通过一次和多次沉积制备单层及多层ZnO薄膜．AFM和XRD分析表明，薄膜具有以ZnO（002）晶面取向为主的多晶结构，多层膜的晶粒尺寸增大．经200～300℃退火热处理，薄膜呈现出良好的低压压敏特性．经200℃退火热处理后，多层ZnO薄膜的非线性系数达到61．54，压敏电压20.10V.在一定范围内升高热处理温度，可明显降低压敏电压．分析了不同膜层及热处理温度对ZnO薄膜压敏特性的影响机理.
- 夏姣贞陆慧王璞徐晓峰杜明贵
- 关键词：ZNO薄膜膜层压敏电压
- zno薄膜压敏电阻制备与研究
- 本文以气体放电活化反应蒸发沉积法(gdare)制备zno压敏薄膜，分析薄膜的表面形貌与晶体结构，探讨gdare法沉积zno薄膜的生长机理，确定薄膜制备参数。提出以多次沉积法有效增加薄膜厚度，以小于300℃的低温热处理改善...
- 夏姣贞
- 关键词：ZNO薄膜阻抗谱
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