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吴惠桢

作品数:186 被引量:208H指数:7
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 90篇期刊文章
  • 58篇专利
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  • 7篇科技成果
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领域

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主题

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  • 19篇发射激光器
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  • 19篇垂直腔面
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  • 19篇垂直腔面发射...
  • 18篇光电
  • 18篇光谱
  • 18篇光学
  • 18篇发光
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  • 18篇分子束外延
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机构

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作者

  • 186篇吴惠桢
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  • 31篇刘成
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  • 20篇曹春芳
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传媒

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年份

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  • 6篇2010
  • 9篇2009
  • 22篇2008
  • 26篇2007
  • 23篇2006
  • 15篇2005
  • 8篇2004
  • 3篇2003
186 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
透明ZnSnO薄膜晶体管特性研究
陈勇跃王雄才玺坤吴惠桢
关键词:薄膜晶体管退火迁移率磁控溅射
In_2O_3透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究被引量:2
2010年
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9V.结果表明,In2O3薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用前景.
徐天宁吴惠桢张莹莹王雄朱夏明原子健
关键词:磁控溅射薄膜晶体管场效应迁移率
一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置
一种制备IV-VI族半导体晶体薄膜生长装置,包括有生长设备,抽真空系统,加热系统,冷却系统,控制系统,其特征是:所述的生长设备由进样室,生长准备室,生长室三个真空室依次连接构成,进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室...
吴惠桢斯剑霄夏明龙徐天宁
文献传递
掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用被引量:3
2006年
采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p+-AlInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.
刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌
关键词:隧道结垂直腔面发射激光器光电特性
纤锌矿结构Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法
一种纤锌矿结构Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法,其特征是采用电子束加热蒸发(MgO)<Sub> y</Sub> (ZnO)<Sub> 1-...
吴惠桢邱东江陈乃波徐天宁余萍
文献传递
应变对PbSe材料晶格振动的影响
本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学...
曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠
关键词:拉曼光谱光学声子晶格失配
文献传递
一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法
本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法,它以CdZnTe或BaF<Sub>2</Sub>或GaAs或Si或Ge作为基底,利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结,异质结的发光波长...
吴惠桢蔡春锋
离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致...
吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳
关键词:半导体刻蚀应变多量子阱
文献传递
Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性
2007年
采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋
关键词:透射光谱折射率
一种胶质量子点光学微腔结构及其制造方法
本发明提供了一种可见光-近红外波段的胶质CdSe量子点微腔结构及其制备方法,它以石英片作为基底,利用电子束沉积方法在基底上生长分布式布拉格反射镜(DBR),将采用化学合成制备的CdSe量子点与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)...
吴惠桢杜凌霄胡炼
文献传递
共19页<12345678910>
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