您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇光电
  • 2篇光电流
  • 2篇INSB
  • 1篇导弹
  • 1篇导引头
  • 1篇电阻
  • 1篇双模
  • 1篇双模导引头
  • 1篇探测器
  • 1篇锑化铟
  • 1篇平面结
  • 1篇离子注入
  • 1篇面阵
  • 1篇空导弹
  • 1篇空空导弹
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇红外
  • 1篇红外空空导弹
  • 1篇红外探测

机构

  • 3篇中国航空工业...

作者

  • 3篇倪永平
  • 1篇王秀萍
  • 1篇赵岚
  • 1篇孙维国
  • 1篇张国栋
  • 1篇赵鸿燕

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇飞航导弹
  • 1篇2003年全...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究被引量:5
2005年
利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。
张国栋孙维国倪永平
关键词:离子注入INSB平面结光电流
锑化铟(InSb)器件光电参数模型
本文从理论上分析了InSb红外器件的光电性能参数,通过器件光电性能等效电路的讨论,建立了各电性能参数之间的关系方程.从理论上拟合了实际InSb光电二极管制造中器件光电性能参数的量值变化规律.研究表明,借助器件的参数方程和...
倪永平赵岚
关键词:I-V特性INSB光电流串联电阻并联电阻
文献传递
红外探测器的发展及其在空空导弹上的应用被引量:7
2008年
介绍了红外探测器的发展状况,归纳了现有红外探测器的类型,并阐述了它们在空空导弹中的应用,指出红外探测器及红外空空导弹的发展趋势。
赵鸿燕倪永平王秀萍
关键词:红外探测器红外空空导弹焦平面阵列双模导引头
共1页<1>
聚类工具0