您的位置: 专家智库 > >

陈海力

作品数:5 被引量:4H指数:2
供职机构:南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇铝诱导晶化
  • 3篇溅射
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 1篇铝膜
  • 1篇结晶化

机构

  • 3篇南京航空航天...

作者

  • 3篇陈海力
  • 2篇杨超
  • 2篇沈鸿烈
  • 1篇江丰
  • 1篇唐正霞
  • 1篇张磊
  • 1篇刘斌

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇2011
5 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究
多晶硅薄膜结合了晶体硅的高转换效率和非晶硅薄膜的低制造成本的优点,被认为是一种性能较为优异的光伏材料。制备多晶硅薄膜的方法有很多,其中铝诱导晶化法是一种较为新颖的制备方法。本文对铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的工艺进行了深入...
陈海力
关键词:铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
文献传递
铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响被引量:2
2011年
以超白玻璃为衬底,采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜,经自然氧化形成二氧化硅层,最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜,制备了glass/Si/SiO_2/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜。用X射线衍射,光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了分析。结果表明,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象。
陈海力沈鸿烈张磊杨超刘斌
关键词:铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅薄膜的影响被引量:2
2011年
采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(~100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快。
陈海力沈鸿烈唐正霞杨超江丰
关键词:铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
共1页<1>
聚类工具0