陈伟立
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院长春物理所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 分子束外延PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te量子阱持续光电导与导带不连续
- 1992年
- 从理论和实验上研究了分子束外延生长的PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te多量子阱结构材料中的持续光电导过程.认为材料中持续光电导的衰减是依赖于隧穿协助的电子-深中心复合过程.理论计算与实验结果一致.通过对持续光电导衰减规律的理论拟合,得到了PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te量子阱材料的导带不连续值及两类能谷间的能量差.
- 宋航陈伟立史智盛傅义
- 关键词：分子束光电导性碲化铅
- Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结的分子束外延生长
- 1991年
- 用分子束外延技术在P型PbTe[100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)双异质结。为得到发射波长在2～4μm波段的半导体激光器,通过控制有源区Eu的组份(x值)来调节有源区的禁带宽度。经扫描电子显微镜分析及电学特性的测量,证明Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结结构均匀完整,结特性明显。
- 宋航陈伟立史智盛付义
- 关键词：分子束外延层
- 用弱场霍尔效应判断分子束外延Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/PbTe量子阱能带类型被引量：1
- 1990年
- 对分子束外延(MBE)法在BaF_2衬底上生长的N型Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/Pb Te多量子阱材料进行了变温(16～300K)弱场霍尔效应测量。通过分析霍尔系数判断Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/PbTe量子阱能带类型为Ⅰ型。由费密能级的位置估算PbTe导带边高于Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te<111>方向能谷导带边约36meV。
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- 关键词：PBTE
- Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜及PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe超晶格的分子束外延及特性研究
- 1991年
- 用MBE技术外延生长了Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜及PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe超晶格。对单层薄膜进行了红外透射谱及光激瞬态电流谱的测量。对超晶格材料进行x光衍射测量。结果表明材料的性能优良。
- 史智胜陈伟立宋航付义
- 关键词：化合物半导体分子束外延
- 用于超低损耗光纤通信化合物半导体材料──Ⅳ-Ⅵ族半导体材料
- 1991年
- 本文综述了可用于超低损耗光纤通信的２－４μｍⅣ－Ⅵ族铅盐化合物半导体材料的最新进展及作者在此方面的一些工作．
- 史智盛陈伟立宋航付义
- 关键词：光纤通信半导体材料化合物
- 分子束外延生长PbEuSeTe的光电导与深能级
- 1992年
- Ⅳ—Ⅵ族稀土铅盐合金半导体材料PbEuSeTe是实现2～4μm波段范围超低损耗光纤通讯所需的光源及探测器的重要光电功能材料。本文利用稳态及瞬态光电导方法研究了材料中的深能级及其在材料中的作用,认为深能级可能是由于加入铕而引起的晶格缺陷产生的,在材料中主要起复合中心作用。
- 宋航陈伟立史智盛付义
- 关键词：深能级
- 分子束外延Pb_(1-x)Eu_xTe材料的红外透射谱研究
- 1991年
- 在2.5～25μm范围内测量了分子束外延(MBE)Pb_(1-x)Eu_xTe薄膜材料(x=0,0.011,0.032,0.045)的室温红外透射谱,得到了折射率的色散关系及禁带宽度与组份x的关系,首次报道了禁带宽度与光学介电常数的经验公式,讨论了本文结果与其它报道的不同之处。
- 史智盛陈伟立宋航于宝贵傅义
- 关键词：分子束外延红外透射谱
- Ⅳ—Ⅵ族铅盐化合物的MBE生长及特性的研究
- 1991年
- 本文报道了Ⅳ—Ⅵ族铅盐化合物PbEuTe、PbEuSeTe薄膜、PbSnTe/PbTe,PbEuTe/PbTe起晶格、量子阱材料及PbEuSeTe双异质结材料的MBE生长。并对其进行了光、电特性的研究。
- 陈伟立史智胜宋航付义
- 关键词：化合物半导体
