钟志远
- 作品数：6 被引量：47H指数：3
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- SiC功率器件的开关特性探究被引量：25
- 2014年
- 与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。
- 赵斌秦海鸿马策宇袁源钟志远
- 关键词：碳化硅肖特基二极管MOSFET开关特性
- 一种高可靠性MOSFET驱动电路
- 本发明涉及一种应用于功率开关管MOSFET的驱动电路，尤其涉及一种碳化硅MOSFET的驱动电路，属于驱动电路技术领域，为解决现有驱动电路中MOSFET关断时可靠性差的问题而发明。它包括PWM控制电路、驱动脉冲放大电路、驱...
- 秦海鸿钟志远聂新朱梓悦谢昊天
- 文献传递
- 基于SiC器件的全桥DC/DC变换器优化设计研究
- 随着航空、航天等应用场合对变换器性能要求的不断提高，促使变换器逐渐向高效率、高功率密度和高可靠性等方向发展。新型的碳化硅器件由于具有通态电阻小、开关速度快和阻断电压高等优势，与硅器件相比，更有利于满足变换器的发展要求。利...
- 钟志远
- 关键词：设备电源直流变换器SIC器件变换器设计
- 文献传递
- 碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法被引量：17
- 2015年
- 与硅MOSFET相比,碳化硅MOSFET更加有利于满足变换器高效率、高功率密度和高可靠性的发展要求。然而在桥臂电路中,上下管之间的串扰问题严重限制了碳化硅MOSFET性能优势的发挥。本文在分析了串扰问题产生机理的基础上,采用了一种改进的基于PNP三极管的有源密勒箝位方法,对串扰进行了有效抑制,并搭建了双脉冲测试平台进行实验验证。实验结果表明,改进的方法能够获得较好的串扰抑制效果,对碳化硅MOSFET的驱动电路设计具有一定指导意义。
- 钟志远秦海鸿袁源朱梓悦谢昊天
- 关键词：碳化硅
- 碳化硅MOSFET器件特性的研究被引量：3
- 2015年
- 由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特性和开关特性进行了分析、总结,实验结果可对基于碳化硅MOSFET的变换器优化设计提供指导。
- 钟志远秦海鸿朱梓悦袁源余忠磊
- 关键词：碳化硅MOSFET开关特性通态特性
- 基于碳化硅器件的全桥变换器研究
- 与硅MOSFET 相比，由于具有阻断电压高、通态电阻小、开关速度快等优势，碳化硅MOSFET 有助于显著提高变换器性能。但是由于材料、结构、应用场合等方面的差异，碳化硅MOSFET在具有较优参数特性的同时，也存在门极开启...
- 钟志远赵朝会秦海鸿徐克峰马策宇
- 关键词：碳化硅MOSFET全桥变换器
