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The functionalization of graphene and two-dimensional boron nitride by transitional metal atom adsorption and doping: 毛宇亮郝文平李顺辉谢召起钟建新

Ni(111)表面C原子吸附的密度泛函研究被引量：1: 2012年; 基于密度泛函理论的第一性原理计算,对过渡金属Ni晶体与Ni(111)表面的结构和电子性质进行了研究,并探讨了单个C原子在过渡金属Ni(111)表面的吸附以及两个C原子在Ni(111)表面的共吸附.能带和态密度计算表明,Ni晶体及Ni(111)表面在费米面处均存在显著的电子自旋极化.通过比较Ni(111)表面各位点的吸附能,发现单个C原子在该表面最稳定的吸附位置为第二层Ni原子上方所在的六角密排洞位,吸附的第二个C原子与它形成碳二聚物时最稳定吸附位为第三层Ni原子上方所在的面心立方洞位.电荷分析表明,共吸附时从每个C原子上各有1.566e电荷转移至相邻的Ni原子,与单个C原子吸附时C与Ni原子间的电荷转移量(1.68e)相当.计算发现两个C原子共吸附时在六角密排洞位和面心立方洞位的磁矩分别为0.059_(μB)和0.060_(μB),其值略大于单个C原子吸附时所具有的磁矩(0.017_(μB)).; 袁健美郝文平李顺辉毛宇亮; 关键词：电子结构密度泛函理论

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郝文平