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薛松: 作品数：25 被引量：93H指数：6; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

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p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量被引量：7: 2005年; 采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2.; 薛松韩彦军吴震罗毅; 关键词：比接触电阻率传输线模型

面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究: 综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最...; 罗毅胡卉韩彦军郭文平邵嘉平薛松孙长征郝智彪; 关键词：干法刻蚀; 文献传递

Cl<,2>/Ar和Cl<,2>N<,2>ICP刻蚀对 n-GaN特性的影响: 在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态有着重要的影响,必须根据n-GaN的光学和电学特性的变化对ICP刻蚀技术加以优化.; 韩彦军薛松郭文平孙长征郝智彪罗毅; 关键词：氮化物半导体材料光电子器件干法刻蚀; 文献传递

GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究被引量：20: 2005年; 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。; 申屠伟进胡飞韩彦军薛松罗毅钱可元; 关键词：发光二极管蒙特卡罗方法芯片尺寸 LEDS P型

GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术研究: 利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和n电极制作中的各...; 韩彦军薛松吴桐郭文平罗毅; 关键词：蓝光发光二极管 GAN材料; 文献传递

一种氮化镓材料的干法刻蚀方法: 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl2/N2/O2这三种气体混合而形成的反应气体生成...; 罗毅韩彦军薛松胡卉郭文平邵嘉平孙长征郝智彪; 文献传递

Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀被引量：6: 2004年; 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。; 韩彦军薛松吴桐吴震郭文平罗毅郝智彪孙长征; 关键词：ALGAN ICP 感应耦合等离子体 III-V族氮化物

长距离显微镜(LDM)测量软件的开发与应用: 该文研究了长距离显微镜(LDM)在断裂动力学实验中的应用,主要解决了利用长距离显微镜(LDM)测量试件位移场的问题,为实验室的Questar长距离显微镜开发了专用于试件位移测量的软件.论文由测量程序和验证性实验两部分组成...; 薛松; 关键词：图像匹配

控制棒磁涡流阻尼器研究: 磁涡流阻尼器决定了紧急停堆过程中的落棒速度和落棒时间.在其以往的设计过程中,大多采用了"设计→试验→修改设计→再试验→确定"的旧有模式,实现过程繁琐,不够经济.为此,该文利用有限元方法对复杂的磁涡流阻尼器的内部磁场进行了...; 薛松; 关键词：高温堆控制棒有限元方法

高质量InGaN LED器件的物理特性: GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其...; 郭文平胡卉邵嘉平韩彦军薛松汪莱孙长征郝智彪罗毅; 关键词：INGAN 发光二极管(LED)波长稳定性 GAN材料发光二极管物理特性量子阱结构; 文献传递