范隆
- 作品数：54 被引量：159H指数：7
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- 相关领域：电子电信核科学技术理学医药卫生更多>>
- 注F CC4007电路的电子和X射线辐照效应
- 分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注引入栅介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ⅰ—Ⅴ特性表明,...
- 张国强郭旗艾尔肯余学锋陆妩范隆任迪远严荣良
- 关键词：X射线辐照
- 文献传递
- “资源一号”卫星SEM分系统及其部分探测结果
- 本文叙述了“资源一号”卫星SEM分系统的任务、设计及其部分探测结果,特别讨论了以极光粒子探测器为代表的空间等离子体探测.介绍了1/4球形静电分析器的工作原理,讨论了仪器实现的途径和方法,最后给出了部分空间飞行探测结果.
- 林云龙朱文明刘兆军吴中祥邹积清范隆巴纪新钱振亚黄秀英
- 文献传递
- Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析被引量：1
- 2003年
- 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
- 范隆郝跃严荣良陆妩
- 关键词：电离辐照
- PMOS总剂量监测技术的卫星应用被引量：3
- 2002年
- 利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨结果进行对比 ,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。
- 范隆任迪远郭旗严荣良朱光武王世金梁金宝
- 关键词：电离辐射卫星空间环境
- Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤被引量：2
- 2003年
- 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显.
- 范隆郝跃余学峰
- 关键词：氧化物电荷界面态MOS电容SI/SIO2
- 辐射感生应力弛豫对Al_mGa_(1-m)N/GaN HEMT电学特性的影响被引量：3
- 2007年
- 基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.
- 范隆郝跃
- 关键词：HEMT应力弛豫
- 基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解被引量：5
- 2003年
- 基于量子力学微扰理论的分析 ,得到AlGaN GaN异质结波函数的半解析模型 .给出了模型的理论分析和计算结果 .对于相同问题 ,给出了与差分算法的对照结果 .与传统的差分方法相比 ,半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点 ,更适合作为AlGaN GaN异质结量子阱的求解算法 .
- 李培咸郝跃范隆张进城张金凤张晓菊
- 关键词：薛定谔方程量子力学差分算法
- 一种能对电离辐射总剂量进行测量的固体剂量仪
- 本发明涉及一种能对电离辐射总剂量进行测量的新型固体剂量仪，其硬件由PMOS探头、辐照敏感物理参量—阈电压漂移的测量电路、PMOS探头的加偏电路和电源四部分构成。其软件由PMOS探头的温度特性测量、电路的温度补偿设计、探头...
- 范隆严荣良任迪远
- 文献传递
- pMOSFET多管级联结构辐照响应特性研究被引量：3
- 2000年
- p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入条件 ,其响应灵敏度、线性度和稳定性均高于零偏置的结果。同时 ,研究了多管级联结构完全退火后的二次辐照响应 ,结果表明 ,响应灵敏度与线性度均高于第
- 范隆郭旗任迪远余学峰严荣良
- 关键词：PMOSFET级联结构灵敏度辐射剂量计
- 注F MOS器件的可靠性研究被引量：3
- 1997年
- 对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中F的引入，能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度．F－Si键的形成将减小MOS栅氧介质的电导率．
- 张国强陆妩范隆余学锋郭旗任迪远严荣良
- 关键词：MOS器件可靠性氟
