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肖璇

作品数：15 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 14篇半导体
  • 11篇功率器件
  • 11篇半导体功率器...
  • 7篇双极型
  • 7篇双极型晶体管
  • 7篇晶体管
  • 7篇绝缘栅
  • 7篇绝缘栅双极型...
  • 4篇低压CMOS
  • 4篇电极
  • 4篇电极结构
  • 4篇多晶
  • 3篇电源
  • 2篇电导
  • 2篇电源管理
  • 2篇调制
  • 2篇多晶硅
  • 2篇氧化层
  • 2篇移植性
  • 2篇锗硅

机构

  • 15篇电子科技大学

作者

  • 15篇肖璇
  • 14篇李泽宏
  • 13篇张超
  • 7篇姜贯军
  • 7篇谢加雄
  • 7篇李婷
  • 7篇余士江
  • 5篇吴宽
  • 5篇张波
  • 5篇任敏
  • 4篇张帅
  • 2篇胡涛
  • 2篇夏小军
  • 2篇张硕
  • 2篇钱振华
  • 2篇张蒙
  • 2篇赵起越
  • 2篇刘小龙
  • 2篇谢家雄
  • 1篇李吉

年份

  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 8篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
3300VPlanar IGBT的仿真分析与设计
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种应用成熟、应用领域宽广的新型半导体功率器件。国外主要IGBT厂商的技术已经过了六代产品的更迭，而目前国内IGBT的研发与制作才处于刚起步阶段。基于本实验室与国内某知名半导体公司合作研发...
肖璇
关键词：绝缘栅双极型晶体管系统设计建模仿真
一种低压埋沟VDMOS器件
一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时...
李泽宏姜贯军余士江李婷谢加雄任敏李吉肖璇张波
文献传递
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管中引入体电极结构，所述体电极结构位于两个P型基区5之间的N-漂移区中，由体电极二氧化硅氧化层所包围的和凹槽型多晶硅体...
李泽宏张超张蒙赵起越肖璇
一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法
一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待...
李泽宏张超杨文韬单亚东肖璇吴宽
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P<Sup>+</Sup>体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极...
李泽宏张超肖璇吴宽姜贯军余士江谢家雄
文献传递
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
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一种非外延高压BCD器件的制备方法
一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及...
李泽宏姜贯军余士江谢加雄张帅胡涛李婷张超任敏肖璇张波
文献传递
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管中引入体电极结构，所述体电极结构位于两个P型基区(5)之间的N<Sup>-</Sup>漂移区中，由体电极二氧化硅氧化...
李泽宏张超张蒙赵起越肖璇
文献传递
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P<Sup>+</Sup>体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极...
李泽宏张超肖璇吴宽姜贯军余士江谢家雄
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