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王英龙

作品数:159 被引量:256H指数:9
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 130篇期刊文章
  • 16篇专利
  • 7篇科技成果
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 84篇理学
  • 43篇电子电信
  • 18篇一般工业技术
  • 9篇机械工程
  • 8篇电气工程
  • 5篇文化科学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 84篇激光
  • 56篇烧蚀
  • 56篇激光烧蚀
  • 51篇脉冲激光
  • 50篇脉冲
  • 42篇脉冲激光烧蚀
  • 28篇纳米
  • 23篇纳米SI晶粒
  • 20篇半导体
  • 19篇激光器
  • 16篇半导体激光
  • 16篇半导体激光器
  • 15篇铁电
  • 13篇微腔
  • 12篇SI
  • 12篇尺寸
  • 11篇第一性原理
  • 11篇微腔半导体激...
  • 10篇光学
  • 10篇光学性

机构

  • 159篇河北大学
  • 3篇河北工程大学
  • 3篇华北电力学院
  • 3篇河北工业大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇北华航天工业...
  • 2篇保定师范专科...
  • 1篇保定学院
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇河北民族师范...

作者

  • 159篇王英龙
  • 69篇褚立志
  • 60篇傅广生
  • 59篇邓泽超
  • 57篇丁学成
  • 36篇梁伟华
  • 28篇刘保亭
  • 23篇郑云龙
  • 18篇丁文革
  • 18篇赵庆勋
  • 16篇周阳
  • 14篇彭英才
  • 13篇郭建新
  • 9篇郭庆林
  • 9篇陈金忠
  • 9篇王秀丽
  • 8篇边芳
  • 8篇杨景发
  • 7篇孙江
  • 7篇秦爱丽

传媒

  • 32篇河北大学学报...
  • 23篇人工晶体学报
  • 16篇物理学报
  • 10篇中国激光
  • 6篇功能材料
  • 4篇光子学报
  • 4篇强激光与粒子...
  • 3篇量子电子学报
  • 3篇物理通报
  • 3篇通信学报
  • 3篇原子与分子物...
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇2009第八...
  • 2篇中国光学学会...
  • 1篇华北电力学院...
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇河北农业大学...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 14篇2013
  • 14篇2012
  • 18篇2011
  • 11篇2010
  • 13篇2009
  • 12篇2008
  • 5篇2007
  • 11篇2006
  • 9篇2005
  • 3篇2004
  • 5篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
159 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定被引量:14
2007年
为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5—2.8cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化.根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.
褚立志卢丽芳王英龙傅广生
关键词:纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀
自组装1-3型外延LaSrFeO_4∶Fe纳米复合薄膜的结构和磁性能研究
2014年
采用高温固相法制备La0.5Sr0.5FeO3靶材,在高能量,较低的温度条件下利用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(001)衬底上自助装生长1-3型外延的LaSrFeO4∶Fe(LSFO4∶Fe)纳米复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征薄膜的晶体结构和生长取向,磁力显微镜(MFM)观测样品的表面形貌和磁畴结构,超导量子干涉仪(SQUID)磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,α-Fe纳米线的直径大小约为20 nm。在低温10 K时,磁场方向平行和垂直纳米线的矫顽力分别为1645 Oe和923 Oe,饱和磁化强度分别为780 emu/cm3和645 emu/cm3,样品表现出良好的磁各向异性。
贾艳丽闫其庚张磊冯招娣代秀红王世杰赵庆勋王英龙刘保亭
关键词:脉冲激光沉积磁性能
激光烧蚀过程中密度交叠区振荡稳定时间与晶粒尺寸均匀性的关系被引量:3
2005年
在不同环境气体中,对脉冲激光烧蚀产生的Si粒子的输运过程进行了Monte Carlo动力学模拟,并实验研究了脉冲激光烧蚀制备纳米Si薄膜的晶粒尺寸分布.在理论分析和实验研究的基础上,讨论了纳米Si晶粒尺寸分布和烧蚀过程中出现的交叠区振荡稳定时间的对应关系.结果表明,Si蒸气/环境气体高密度交叠区振荡稳定时间越短,所制备的纳米Si晶粒尺寸分布越均匀.
李艳丽刘景旺张荣梅王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀动力学纳米SI晶粒
平面外腔半导体激光器的一种新的瞬态模型被引量:3
1998年
视外腔半导体激光器的场为统一场,直接由内、外腔场的传播方程、边界条件出发,建立了平面外腔半导体激光器的瞬态模型。数值模拟的结果与实验结果的比较表明:无论对于强反馈、还是弱反馈。
丁文革郑云龙闫肃王英龙
关键词:半导体激光器
全文增补中
沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响被引量:3
2010年
采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65μC/cm2。采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理。
赵庆勋魏大勇王宽冒马继奎刘保亭王英龙
关键词:脉冲激光沉积沉积温度
微腔半导体激光器的抗噪声性能被引量:3
1999年
针对被假定为白噪声的电流噪声,在大信噪比的前提下,计算了微腔半导体激光器在不同参数下的信噪比增益和输出信噪比, 为高质量的光输出、高抗噪声性能的微腔半导体激光器的设计提供了理论依据。
丁文革郑云龙王英龙阎肃
关键词:微腔半导体激光器抗噪声性能
光电物理类专业创新实践教学体系的构建与实践被引量:5
2015年
提出了光电物理类专业"一一三二"的协同育人思路,以凸显光电专业特色为抓手,构筑模块化课程体系构架,设置特色课程层次模组,以创新实验室为桥梁,实现三大平台、两大课堂的互融联动,高效提升学生综合素养和创新能力.在实验、实习、学术科技竞赛等方面的实践教学检验,效果良好.
杨景发刘志安王英龙王菲申朝晖张晓雄赵会硕
纳米Si薄膜光学性质和弹性常数的研究被引量:1
2012年
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对厚度为0.54~3.30nm纳米Si薄膜的电子结构、光学性质及弹性常数进行了计算。结果表明,纳米Si薄膜是直接带隙半导体材料;随着纳米Si薄膜厚度的减小,带隙逐渐增大;薄膜的光学吸收边发生蓝移,吸收带出现宽化现象;弹性常数、杨氏模量和泊松比呈现尺寸效应。
梁伟华王秀丽赵亚军庞学霞王英龙
关键词:第一性原理光学性质
衬底对单脉冲激光烧蚀下环境密度恢复时间的影响
2009年
假定烧蚀粒子与环境气体原子均为刚性硬球,采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对单脉冲激光烧蚀产生的硅(Si)粒子在1000Pa环境氦(He)气中的传输过程进行了数值模拟,研究了衬底对环境密度恢复时间的影响。结果发现,衬底对粒子完全反弹和完全吸附的情况下对应的环境密度恢复时间分别为1713.2μs和1663.2μs,并且随着衬底对粒子临界吸附速度的增大,环境密度恢复时间先增大后减小。
邓泽超褚立志丁学成李艳丽梁伟华傅广生王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀蒙特卡罗模拟
硅基纳米微粒的脉冲激光烧蚀沉积机理及其光电特性的研究
傅广生韩理彭英才王英龙周阳褚立志
该项目在不同环境下,实验研究了纳米Si薄膜的生长率和粗糙度,首次采用激波理论解释了实验得到了AR气环境比He气环境下制备的纳米薄膜Si晶粒尺寸更均匀的结果,首次获得了半宽度几十纳米的纳米硅发光谱特性,首次实现了PLA制备...
关键词:
关键词:激光晶化纳米硅薄膜
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