王槐生
- 作品数：34 被引量：27H指数：2
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 以项目为载体的EDA技术在电子信息类专业教学中的应用研究被引量：1
- 2011年
- 本文以高职高专学生实际工作岗位能力培养为出发点,"以项目为载体",基于EDA技术为工具,研究适用于课堂教学、综合实训、毕业设计、顶岗实习等的新模式和教学新方法,彻底改变当前传统教学及部分改革后的教学方法,在此理念下,深入企业、公司调研,以高职高专学生的工作岗位所必需的电路分析、模数电子技术和单片机原理及应用知识为目标,开发一套适合于高职高专学生电子信息类专业教学的虚拟仿真项目,具有一定的创新性和先进性。
- 李娟娟王槐生
- 关键词：EDA技术
- 薄膜晶体管
- 本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流...
- 王明湘王槐生张冬利
- 文献传递
- 具有阻隔区的场效应晶体管器件
- 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形...
- 王明湘刘敏周国澳张冬利王槐生
- 场效应晶体管器件
- 本发明公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，其包括：有源层，包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；栅极，环绕沟道区域设置；栅绝缘层，设置于栅极和沟道区域之间；...
- 王明湘陈乐凯张冬利王槐生
- 单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法
- 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和...
- 王明湘赵金凤张冬利王槐生
- 文献传递
- 场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法
- 本发明提供了一种场效应晶体管器件及利用其改善短沟道效应和输出特性的方法，其中该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及...
- 王明湘陈乐凯张冬利王槐生
- 一种薄膜晶体管
- 本发明涉及的是一种新型薄膜晶体管结构，其包括绝缘衬底、源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极；有源岛上设置有沟道区以及与源漏导电类型相反的载流子输运区。本发明通过增加一个与源...
- 张冬利王明湘王槐生
- 文献传递
- 一种引入固定电荷的SOI功率器件
- 本发明提供了一种引入固定电荷的SOI功率器件，为SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT结构，包括依次叠放的半导体衬底、介质埋层和半导体有源层，在所述介质埋层与半导体有源层之间设有一段第一电荷层和/或在场氧层与半导体有源层之...
- 王明湘王烽弛张冬利王槐生
- N型金属诱导横向结晶TFT交直流应力下的器件退化研究
- 本文分别研究了的n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力和栅极施加脉冲应力下的退化和机制分析。具体研究了器件在不同的应力条件和与时间的依赖关系,并分别提出了器件退化的物理模型。
直流自加热应力下,退...
- 王槐生
- 关键词：金属诱导横向结晶浮体效应热载流子效应
- 文献传递
- 单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法
- 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和...
- 王明湘赵金凤张冬利王槐生
