王志宇
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
- 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材...
- 王文军惠峰高永亮王志宇
- 关键词：投料量LEC法单晶生长GAAS材料半导体材料
- 文献传递
- 6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
- 半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民...
- 惠峰王文军高永亮王志宇
- 关键词：砷化镓单晶晶体生长
- 文献传递
