牟维兵
- 作品数：27 被引量：47H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院计算机应用研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科技基金国家教育部博士点基金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 6H-SiC材料与器件辐照效应的研究进展被引量：3
- 2009年
- 介绍了6H-SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法,并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结。指出目前的研究主要集中于辐射效应方面,但在抗辐射加固技术方面研究不足,国内应根据现有条件注重辐射效应机理方面的研究。
- 牟维兵龚敏杨治美
- P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究
- 本文通过对P沟MOS场效应管IRF9530和N沟MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈电压变化随辐照剂量近似一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷...
- 牟维兵徐曦
- 关键词：场效应管辐照剂量
- 文献传递
- 单运放辐照后的退火研究
- F002C和LM741两种单运放经过不同剂量X射线辐照后，F002C一部分采用电流退火方式，一部分采用高温退火方式，LM741采用高温退火方式，经过退火后器件基本恢复辐照前的状态，再经过Y射线辐照，证实了退火对器件的辐照...
- 牟维兵
- 关键词：辐照运算放大电路
- 文献传递
- 基于MCNP计算结果的快速物理插值方法（英文）
- 2015年
- 在核辐射科学研究中经常使用MCNP蒙卡计算程序,但其计算结果只是给定位置的物理量。为了快速获得计算点附近的感兴趣位置处的值,本研究建立了一种3点插值计算方法。首先分析了粒子在材料中输运的物理规律,给出了满足3点插值的空间范围,建立了插值计算模型。然后利用距离平方反比权重法,结合粒子衰减规律,推导了插值计算公式。最后设计了计算机程序,并用X射线屏蔽后注量的MCNP计算结果进行验证。通过和直接采用的距离平方反比权重法和克里金插值法对比,考虑物理作用机制的该计算方法精度更高,且误差在10%以内。
- 牟维兵郑澎石正军刘建波
- 关键词：物理机制蒙特卡罗方法X射线
- 6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究被引量：2
- 2010年
- 对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量。
- 曹群牟维兵杨翰飞杨治美龚敏
- 关键词：SIC
- X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算被引量：1
- 2001年
- 当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽
- 牟维兵陈盘训
- 关键词：X射线大规模集成电路CMOSMCNP
- 80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究被引量：1
- 2009年
- 研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化。研究了单元电路的辐照敏感性对系统辐射损伤的贡献,得到了系统及单元电路的剂量增强系数。从实验结果综合分析得出:相对而言,PSD单元电路是辐射敏感区域,严重影响了系统的抗辐射能力;系统和单元电路的剂量增强并不显著,一方面,芯片采用的是塑封工艺,不存在重金属材料,另一方面,封装外壳吸收了部分低能X射线,实验测量到的剂量增强系数小于真实值。
- 褚忠强徐曦牟维兵詹峻岭赵刚
- 关键词：单片机系统单元电路总剂量辐照
- 6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究被引量：2
- 2010年
- 半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的C-V特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同。主要原因是SiC氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布。
- 牟维兵龚敏曹群
- 关键词：6H-SICMOS电容C-V测试
- P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究被引量：6
- 2005年
- 通过对P沟道MOS场效应管 IRF9530和 N沟道 MOS场效应管 IRF540N的 X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系。产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化,对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变;而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系。
- 牟维兵徐曦
- 关键词：场效应管阈电压
- 剂量增强理论计算与实验测量
- 介绍剂量增强的基本概念、获取剂量增强的理论计算方法和实验测量方法,并就这两种方法列举了一些实例。对两种方法进行分析比较,提出了对剂量增强研究的一些看法。
- 牟维兵徐曦
- 关键词：核电子学X射线
- 文献传递
