梁歆桉
- 作品数：22 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 用于高温光学实时观察的磁场装置被引量：5
- 1999年
- 最近在我们实验室里建立了一套加磁场高温光学实时观察装置．作为磁场发生器的电磁铁，在发热体中心最高可产生0.14T的侧向磁场．运用这套加磁场实时观察装置，能有效地阻抑KNbO_3熔体内的重力对流，减少界面边界层厚度．
- 金蔚青袁晖潘志雷刘照华梁歆桉
- 关键词：磁场高温氧化物晶体生长
- 氧化物溶液表面张力对流速度场研究被引量：2
- 2000年
- 利用示踪粒子获得直径为２ｍｍ的环状铂金坩埚内Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７＋ＫＮｂＯ３熔体近坩埚区域的表面张力对流速度场；并从理论上推导出表面张力对流速度场解析表达式，推导结果与实测结果一致．
- 金蔚青蒋元方梁歆桉葛长根杨家骏潘志雷刘照华
- 关键词：速度场晶体生长
- 空间高温氧化物晶体生长过程中流体效应的数字模拟研究被引量：3
- 2002年
- 数字模拟方法可以模拟实际晶体生长过程 ,了解晶体生长参数的变化对晶体生长的影响。本文利用数字模拟的方法 ,在本实验室建立的空间二维实时观察装置中 ,对高温Li2 B4O7熔液中生长KNbO3 晶体的流体效应及温场进行了数字模拟研究 ,结果表明 ,在地面生长 ,熔液内部存在复杂的双涡流动模式 ,重力对熔液中的速度场和温场的分布产生强烈的作用 ,而在空间 ,当重力水平达到一定程度时 ,可以使熔液中的流动模式简单化 ,从而降低流动效应对传热、传质造成的不稳定性和不均匀性 ,有利于提高晶体生长的质量。同时通过对空间搭载实验与地面实验结果进行对比分析 ,与数字模拟分析的结果一致 ,随着重力水平的下降 ,熔液中的速度场 ,温场分布朝着稳态生长的方向发展 。
- 刘照华金蔚青潘志雷梁歆桉陈刚毅
- 关键词：晶体生长过程微重力速度场温度场
- 空间与地面高温氧化物熔体中的温度分布
- 2002年
- 使用直径为2.5mm的铂坩埚,在地面和空间进行了四硼酸锂（LBO）晶体材料的融解结晶实验,测量了高温熔体内的温度分布,在简化条件下根据热传输方程和扩散方程求得的计算值与实验值基本一致.在地面熔体内温度分布的变化较大,在空间环境中熔体内温度分布趋于平稳.在两种状态下熔体内同一位置的温度偏差不超过8℃.
- 蒋元方刘照华金蔚青潘志雷梁歆桉苗宇蔡丽霞
- 关键词：四硼酸锂晶体生长
- 加磁场高温晶体生长实时观察装置研究
- 验室里建立了一套加磁场高温光学实时观察装置。作为磁场发生器在发热休中心可产生1400高斯的侧向磁场强度。运用该装置能有效地阻抑KNBO<,3>熔体内的重力对流，从而部分达到模拟微重力效是要。
- 潘志雷金蔚青梁歆桉袁晖
- 关键词：晶体生长
- 对流效应和溶质浓度对KNbO_3晶体界面形貌稳定性的影响被引量：7
- 2001年
- 研究了在不同对流形态对ＫＮｂＯ３晶体生长形貌的影响．在温度梯度较小的扩散－平 流区域，晶体以枝蔓晶的形态生长；而在温度梯度较大的扩散－对流区域，生长出的晶体呈现 光滑晶面．通过测定不同区域ＫＮｂＯ３晶体界面附近的溶质浓度分布，从对流效应降低晶体界 面附近的溶质浓度分布的不均匀性的角度研究了对流效应对晶体界面形貌稳定性的影响，证明 对流效应提高了晶体界面形貌稳定性，与晶体界面弥散度的理论计算结果相一致．同时解释了 扩散－对流区域的晶体尺寸大于扩散－平流区域的晶体尺寸的原因．观察并定性地解释了不同 溶质浓度ＫＮｂＯ３形成不同的界面非稳定形貌，当 ＫＮｂＯ３重量百分比为２０ｗｔ％时形成骸晶， ３０ｗｔ％时形成枝蔓晶．
- 蔡丽霞金蔚青潘志雷刘照华梁歆桉
- 关键词：KNBO3枝蔓晶晶体生长
- 氧化物熔体Marangoni对流实时观察研究
- 该论文设计和建立了一台加磁场高温熔体晶体生长实时观察装置,并利用该设备对两种比较有代表性的氧化物Bi<,12>SiO<,20>和KNbO<,3>中的Maranogni对流进行了较为系统的研究,并且研究了磁场对KNbO<,...
- 梁歆桉
- 关键词：MARANGONI
- 文献传递
- 磁场对KNbO_3熔体中温度分布影响的实验研究被引量：9
- 2000年
- 研究了磁场对ＫＮｂＯ３熔体中的温度分布的影响．利用加磁场的休仑微分干涉显微实时观察装置及一种近似的间接测温方法，对在不同磁场强度０、７０、１１７、１３５ｍＴ下，ＫＮｂＯ３熔体中的径向温度分布进行测量．发现随着磁场强度的增大，熔体中的径向温度梯度减小，尤其在坩埚－熔体界面附近，浮力驱动对流占主要作用的区域，温度梯度的减小更加明显．这可能是由于磁场对熔体中浮力驱动对流抑制的结果．
- 梁歆桉金蔚青潘志雷刘照华
- 关键词：磁场KNBO3温度分布熔体半导体晶体
- 一种熔体晶体实时观察系统
- 本发明涉及氧化物的高温熔体晶体生长的实时观察系统。整个系统包括晶体生长部分、生长过程观察部分，生长过程记录部分和磁场发生部分，属于单晶生长领域。其中晶体生长部分包括生长炉、生长炉加热用电源、测温热电偶及其数字显示仪。生长...
- 金蔚青洪勇梁歆桉潘志雷刘照华潘秀宏
- 文献传递
- 磁场在晶体生长中的应用研究进展被引量：21
- 1999年
- 综述了磁场影响晶体生长的两种机制，磁场的产生和构型，在半导体材料硅、砷化镓、磷化铟晶体生长中的应用，在蛋白质及氧化物晶体生长方面的新进展．
- 梁歆桉金蔚青潘志雷
- 关键词：磁场晶体生长蛋白质氧化物半导体
