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林钟潮

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇石英管
  • 3篇水热
  • 2篇氧化铋
  • 2篇熔炼
  • 2篇熔炼炉
  • 2篇退火
  • 2篇温控
  • 2篇污染
  • 2篇污染物
  • 2篇晶体
  • 2篇可见光
  • 2篇可见光光催化
  • 2篇降解
  • 2篇降解污染物
  • 2篇光催化
  • 2篇光催化剂
  • 2篇高温退火
  • 2篇催化

机构

  • 12篇中国科学院福...

作者

  • 12篇林钟潮
  • 12篇黄丰
  • 8篇黄顺乐
  • 7篇黄嘉魁
  • 6篇林文文
  • 4篇柯永灿
  • 4篇董建平
  • 4篇陈伦泰
  • 3篇陈达贵
  • 2篇丁凯
  • 1篇陈赛英
  • 1篇林璋
  • 1篇黄瑾
  • 1篇颜峰坡
  • 1篇颜峰波
  • 1篇郑清洪

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高氯氧化铋光催化剂对可见光吸收的退火方法
本发明提供一种提高氯氧化铋光催化剂对可见光吸收的退火方法，属于半导体光催化领域。将能分解产生氧气的供氧化合物和氯氧化铋同时放置在密闭的抽真空石英管中，然后对石英管进行高温保温退火，供氧化合物受热分解产生氧气，在大于一个大...
林文文黄丰黄嘉魁林钟潮
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高电导率氧化锌陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种高压氧气氛下烧结制备高电导率氧化锌陶瓷的方法。本发明以氧化锌为主要成分，添加氧化铝、氧化镓，分散、研磨、粉碎、压制、烧结，烧结的温度为700-900℃，烧结出来的陶瓷载流子浓度1.137E10<Sup>19...
黄瑾黄丰丁凯颜峰坡黄嘉魁吕佩文林钟潮
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避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法
本发明提供一种避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法。该方法将有裂纹或凹坑的ZnO籽晶晶面上镀上一层平整的金属膜，然后将籽晶放置于水热生长设备中进行生长。这种处理方法可确保籽晶上的缺陷无法外延到新的晶体生长层，新...
林文文黄丰陈达贵黄顺乐林钟潮黄嘉魁
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氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室
本发明公开一种氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积设备反应室。本反应室包括，反应室上法兰盘（1）、反应室下法兰盘（2）、反应室侧壁（3）、旋转轴（4）、电机（5）、磁流体密封轴承（6）、衬底托（7）、衬底加热器（8）、...
丁凯黄丰林钟潮黄顺乐郑清洪颜峰波
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一种多晶硅冶炼炉用观察窗系统
一种多晶硅冶炼炉用观察窗系统，包括石英玻璃，旋转擦拭装置，底座，滑板，密封垫圈，红外测温支架。观察窗系统是多晶硅冶炼炉的重要附属装置，集成了观察，测温，滑板保护，擦拭等功能。本发明结构简单，具有使用安全、改装方便等优点。...
黄丰吕佩文董建平黄顺乐陈伦泰林钟潮柯永灿
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可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉
本发明提供一种可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉。其特点在于单个晶体生长炉内可以容纳多个水热釜，并使用隔温板来防止水热设备中上下加热区的温度干涉，结构简单，控温准确，节能环保。本发明采用如下技术方案：一种可容纳多个水热釜...
黄丰林文文陈达贵黄顺乐黄嘉魁林钟潮
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一种新型的多晶硅熔炼炉
一种新型的多晶硅熔炼炉，使用了石英管作为壳体密封，极大的降低了系统的制造难度与费用，并使系统简单可用。该炉包括水冷顶盖、水冷底盖、石英管、下降机构、感应加热器、坩埚、保温设备。使用石英管做为壳体密封，使炉体内情况可以观察...
吕佩文黄丰董建平黄顺乐陈伦泰林钟潮柯永灿
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可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术
本发明提供了一种满足光电器件外延生长的氧化锌单晶衬底的抛光技术，通过了单晶粗磨、粘片上盘、机械粗磨、机械精磨、机械粗抛，化学机械精抛、清洗和封装这些步骤获得了表面10μm×10μm范围内表面均方根粗糙度小于1nm的氧化锌...
林文文黄丰林璋林钟潮黄嘉魁陈达贵陈赛英
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防止杂晶堵塞对流孔的水热釜
本实用新型提供一种水热釜挡流板。该水热釜挡流板嵌入中空的弯管，水热釜溶解区的培养料通过中空弯管的孔道输运到水热釜的生长区。为防止出现传统挡流板存在的杂晶堵塞对流孔的问题，保证溶解区往生长区养料输运的持续性，弯管内上对流孔...
黄丰林文文黄嘉魁黄顺乐林钟潮
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一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统
一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，可以在真空条件或保护气条件下实现不开炉盖连续加料。本发明中的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，包括通气管、密封阀门、密封顶盖、加料室、加料阀门、加料管。真空连续加料系统安装于多晶...
吕佩文黄丰董建平黄顺乐陈伦泰林钟潮柯永灿
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