杨波波
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海应用技术学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市基础研究重大（重点）项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生电气工程更多>>
- 双离子置换高光输出硅酸铋闪烁晶体的生长与性能研究
- 硅酸铋(BiSiO)晶体是一种新型闪烁晶体,其闪烁性能介于BGO和PWO晶体之间,有望在某些应用领域取代著名闪烁晶体BGO。但由于BiO和SiO两种组成的熔点和密度相差很大,晶体生长非常困难。我们采用Sol-Gel方法合...
- 徐家跃杨波波张彦申慧储耀卿
- 关键词：硅酸铋坩埚下降法掺杂
- 文献传递
- Dy掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能研究
- 本文采用改进的坩埚下降法生长高质量不同浓度Dy掺杂BSO透明晶体，研究了掺杂浓度对晶体闪烁性能的影响。所有生长晶体可见光区透过率达到80％左右，与纯BSO晶体相比，吸收边发生细微红移。
- 杨波波徐家跃邹军张彦
- 关键词：硅酸铋坩埚下降法光输出
- Bi_4Si_3O_(12)-Bi_4Ge_3O_(12)赝二元系统析晶行为及其晶体生长被引量：3
- 2013年
- 本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长。采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能。
- 杨波波徐家跃申慧张彦陆宝亮江国健
- 关键词：析晶行为坩埚下降法
- Dy掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能研究
- 本文采用改进的坩埚下降法生长高质量不同浓度Dy掺杂BSO透明晶体,研究了掺杂浓度对晶体闪烁性能的影响。所有生长晶体可见光区透过率达到80%左右,与纯BSO晶体相比,吸收边发生细微红移。低浓度Dy掺杂BSO晶体能够明显提高...
- 杨波波徐家跃邹军张彦
- 关键词：硅酸铋坩埚下降法光输出
- 文献传递
- 双离子置换高光输出硅酸铋闪烁晶体的生长与性能研究
- 硅酸铋(Bi4Si3O12)晶体是一种新型闪烁晶体，其闪烁性能介于BGO和PWO晶体之间，有望在某些应用领域取代著名闪烁晶体BGO.但由于Bi2O3和SiO2两种组成的熔点和密度相差很大，晶体生长非常困难.
- 徐家跃杨波波张彦申慧储耀卿
- 关键词：硅酸铋坩埚下降法掺杂
