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杨俊焱

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:天津市科技发展战略研究计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟产生
  • 1篇调制
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇射频识别
  • 1篇锁相
  • 1篇锁相环
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇幅度调制
  • 1篇半导体
  • 1篇RFID
  • 1篇HF

机构

  • 2篇南开大学

作者

  • 2篇杨俊焱
  • 1篇戴宇杰
  • 1篇吕英杰
  • 1篇张小兴
  • 1篇樊勃

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
HF RFID中时钟产生电路设计
射频识别系统在物流、采购系统以及其他系统中的应用十分广泛。设计一个低成本、高可靠性的电子标签芯片对集成电路工程师来说是一个非常巨大而又有意义的挑战。对于电子标签芯片来说,主要的技术指标是面积和功耗。   在13.56M...
杨俊焱
文献传递
RFID ASK100%、10%调制时钟产生电路设计
2008年
设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56MHz ASK100%、10%调制射频卡所需要的时钟。针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊的设计。本电路作为模块可应用于符合ISO/IEC15693、ISO/IEC18000-3标准的非接触IC卡中。通过Cadence spectre软件,使用0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺模型进行验证。仿真结果显示:电路采用3.3V电源供电时,100%调制载波幅度为0%时,总工作电流仅为17μA。
杨俊焱戴宇杰张小兴吕英杰樊勃
关键词:射频识别锁相环幅度调制时钟产生互补金属氧化物半导体
共1页<1>
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