朱劲松
- 作品数：116 被引量：79H指数：5
- 供职机构：南京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 基于FeRAM的铁电材料的制备、性能及电畴相关效应研究
- 朱劲松吕笑梅陈小兵严锋王业宁丁勇苏东刘建设任晓兵张志刚包鹏李伟沈惠敏杨震王小敏
- 该项目首次将激光退火成功用于铁电膜晶化；明确指出Bi4Ti3O12中AB位掺杂的不同作用；创造性地使用力、电学损耗方法分析氧空位弛豫，将氧空位激活能、浓度、关联性联系起来成功地解释了掺杂对Bi4Ti3O12抗疲劳性能的影...
- 关键词：
- 关键词：电畴
- 磁电复合材料CuFe<,2>O<,4>/PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>的内耗与介电损耗
- 制备了组分xCuFe<,2>O<,4>-(1-x)PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>(其中x=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFe<,2>O<,4>和Pb...
- 戴玉蓉包鹏朱劲松沈惠敏刘俊明王业宁
- 关键词：内耗磁电效应介电损耗磁电复合材料
- 文献传递
- 薄膜电学性能测量中提供外加原位应力的装置及测量方法
- 本发明公开了一种在薄膜电学性能测量中提供外加原位机械应力的装置及测量方法，该装置包括螺旋测微器、支架和金属刀口，在支架上设有一开口，螺旋测微器安装在支架上，并位于开口的一侧，开口的另一侧支架上设有用来固定薄膜连同衬底的夹...
- 朱劲松吕笑梅杨震吴秀梅
- 文献传递
- PZT陶瓷材料低温相变的内耗测量
- 通过差热分析(DSC)、内耗以及Young's模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为.结果表明,在261和225K各出现一个内耗峰.前者与DSC探测到的峰温一致,对应于从四方到单斜的一级相变;后者峰形不对称,对应的Yo...
- 戴玉蓉包鹏沈惠敏朱劲松王业宁
- 关键词：相变内耗差热分析铁电陶瓷材料
- 文献传递
- 铁电材料中的电畴:形成、结构、动性及相关性能被引量：5
- 2020年
- 铁电材料的研究有近百年的历史,而铁电畴的存在是铁电材料最基本的微观结构特征.随着材料制备和表征技术的发展,铁电畴的排列组合方式对材料性能的影响越来越凸显.而近年来的研究显示,铁电畴及畴壁甚至能够作为各种微纳电子器件的独立功能单元,在信息存储、能量转换、机电驱动、量子计算等领域有着广泛的应用潜力.本文从铁电畴结构的群论推导开始,介绍了铁电畴的形成、结构到宏观力学谱和电学性能,以及利用压电力显微镜研究铁电开关、铁电畴微观特征的相关历程及现状.
- 吕笑梅黄凤珍朱劲松
- 关键词：畴结构铁电材料内耗
- 铁电薄膜铁电性能的测量被引量：4
- 2005年
- 本文介绍了铁电薄膜材料铁电性能的测量原理和方法。分析了以传统测量电路Sawyer Tower电路为基础的电滞回线测量方法和基于虚地模式的电滞回线测量方法 ,并提出了一种基于计算机的铁电性能综合测试仪的实现方案 ,对其中的主要部分微电流放大器的设计作了介绍。该测试仪不仅能画出铁电薄膜的电滞回线 ,还可以得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流Ik等参数 ,以及对铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试。
- 潘红兵朱劲松徐健健
- 关键词：铁电薄膜铁电性能虚地综合测试仪电滞回线矫顽场
- 单面和双面沉积甘油的玻璃化转变力学谱比较
- 2010年
- 基于复合体系簧振动方法,比较了单面和双面沉积时甘油的玻璃化转变力学谱.结果表明:沉积面积对甘油力学谱的影响不大;在单面沉积时,其升、降温过程中的力学谱的差异明显,且降温过程中的模量虚部峰所对应的温度高于升温过程的相应温度,显示出非本征的转变行为;而在双面沉积时,其升、降温过程中的模量虚部峰所对应的温度基本重合,表明其更具可靠性.
- 袁颖憨应学农朱劲松
- 关键词：内耗玻璃化转变
- 铋系层状钙钛矿材料Bi4Ti3O12的改性及多铁性能研究
- 多铁性材料是指同时具有铁电、铁磁或铁弹等两种或两种以上序参量的多功能材料，利用其磁电耦合效应可能实现多态存储。然而，大多数单相材料显示了较低温度下的多铁性，且很难满足工业化生产的要求。
- 吕笑梅遆瑞霞黄凤珍朱劲松
- 关键词：介电性能
- Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现了与相变有关的内耗峰P1和P2,其峰位置与升温速率有关且满足Kissinger关系;内耗峰P1和P2的相变激活能分别为(1.91±0.19)和(3.38±0.33)eV.
- 胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
- 应力诱导磁通线脱钉的动力学研究
- 提出了一个应力诱导磁通线脱钉的模型,并针对热激活脱钉的情形[Thermally ac- tivated depinning(TAD)]计算了相应的内耗 Q与模量的相对变化,且与实验结果进行了比较。
- 黄以能周海龙朱劲松王业宁
- 文献传递
