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张森

作品数：37 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程天文地球自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇导通
  • 11篇半导体
  • 10篇导电类型
  • 8篇损耗
  • 8篇LIGBT
  • 6篇导通压降
  • 6篇耐压
  • 6篇关断
  • 6篇关断损耗
  • 5篇电极
  • 5篇电阻
  • 5篇接触区
  • 5篇功率半导体
  • 5篇饱和电流
  • 5篇硅电极
  • 4篇短路
  • 4篇自适应控制
  • 4篇闩锁
  • 4篇闩锁效应
  • 4篇抗短路

机构

  • 37篇电子科技大学

作者

  • 37篇张森
  • 15篇张波
  • 15篇李肇基
  • 15篇章文通
  • 13篇乔明
  • 11篇罗小蓉
  • 10篇魏杰
  • 9篇王睿
  • 9篇杨昆
  • 6篇苏伟
  • 4篇宋旭
  • 4篇李聪聪
  • 4篇张科
  • 4篇王卓
  • 4篇邓高强
  • 3篇唐明
  • 2篇黄琦
  • 2篇李杰
  • 2篇张真源
  • 1篇方健

年份

  • 3篇2024
  • 9篇2023
  • 7篇2022
  • 8篇2021
  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2011
  • 1篇2008
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成SBD的超结MOSFET
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版...
罗小蓉黄俊岳宋旭郗路凡魏杰戴恺纬张森
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具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法
本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体...
章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
文献传递
一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法
本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二...
章文通张科唐宁田丰润乔明何乃龙张森李肇基张波
一种具有集成NMOS管的LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电...
杨可萌戴恺纬罗小蓉马臻邓高强魏杰李聪聪张森李杰
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一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIG...
罗小蓉苏伟马臻张森杨可萌魏杰樊雕王晨霞
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三分量感应测井仪的刻度和数据处理研究
感应测井是一种重要的电阻率测井方法，在测井工程中得到了广泛的应用。随着石油工业的进步和钻井技术的发展，斜井和水平井的数量不断增多，对测井技术要求越来越高，传统的感应测井技术已不能适应石油开发的新要求，为此出现了三分量感应...
张森
关键词：石油地质刻度参数数据处理
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一种高耐压低损耗超结功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高耐压低损耗超结功率器件。本发明的主要特征在于：在P型漂移区上方有夹断结构，夹断结构由夹断槽以及夹断槽之间P型体接触区组成。正向导通时，夹断结构夹断中间的P型漂移区，从而抑制空穴...
罗小蓉张森苏伟邓高强樊雕宋旭李聪聪魏杰
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一种由多级波导弯头组成的功率分配网络
本发明公开了一种由多级波导弯头组成的功率分配网络，涉及微波器件领域，包括：前级矩形波导弯头、中间级矩形波导弯头、末级矩形波导弯头；前级矩形波导弯头对输入的微波进行一分二功率分配，及水平面内90度传输方向弯折，分别输出至两...
王嘉豪刘宇博张森吴奇
一种集成器件的等电容分压终端结构
本发明提供一种集成器件的等电容分压终端结构，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源接触区，第二导电类型漏接触区；槽介质层、栅氧化层、场氧...
章文通赵泉钰吴奇益李洪博何乃龙张森乔明李肇基张波
高压低功耗IGBT器件新结构机理与特性研究
随着节能减排的迫切需求，如何高效化地使用电能越来越被重视，功率半导体器件作为电能处理和转换的枢纽，在电能的高效率转化中起着至关重要的作用。绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transisto...
张森
关键词：绝缘栅双极晶体管电导调制抗电磁干扰
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