孟代义
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：云南师范大学能源与环境科学学院可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜被引量：2
- 2013年
- 本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理。结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5 h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si(111)择优取向。样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长。退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20μm。然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5 h后,薄膜依然是非晶硅状态。差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜。
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- 关键词：多晶硅薄膜非晶硅电子束蒸发
