吴立志
- 作品数：151 被引量：178H指数：7
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- 相关领域：兵器科学与技术电子电信化学工程理学更多>>
- 一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置
- 本发明公开了一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置。所述肖特基单触发开关集成EFI芯片单元包括：Si3N4的硅基底、金属Ti/Cu层、聚酰亚胺层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au和肖特基二级管，所述爆炸箔...
- 朱朋沈瑞琪叶迎华胡博吴立志胡艳
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- 基于电爆炸和等离子体放电耦合的爆炸箔芯片及制备方法
- 本发明属于爆炸箔起爆器领域，具体涉及一种基于电爆炸和等离子体放电耦合的爆炸箔芯片及制备方法。包括基片，金属层，飞片层，加速膛，和内嵌在加速膛中的电极层；电极层与二次电容放电回路连接，当电爆炸回路的高压电容放电，回路产生脉...
- 朱朋汪柯吴立志张伟胡艳叶迎华沈瑞琪
- 文献传递
- 脉冲激光能量对ADN基液体工质推进特性的影响规律
- 2023年
- 为获得脉冲激光能量对含能液态工质推进性能的影响规律,通过基于激光器、高速相机、扭摆搭建的测试系统对二硝酰胺铵(ADN)基液体工质的吸收性能、烧蚀性能、推进性能进行了研究。结果表明:ADN基含能液体是一种理想的液体工质,吸收系数达354.05cm^(-1),吸收深度为28.24μm。在0~63.97mJ能量范围内,增大激光能量有利于提高ADN基液体工质的推进性能。在激光能量为63.97mJ时,ADN基液体工质的推进性能达到最优,对应的推进性能参数分别为:冲量53.31μN·s,冲量耦合系数0.8757mN·s·J^(-1),比冲281.59s,能量转化效率122.40%。
- 潘越曹金乐郑永赞杜宝盛张景源吴立志叶迎华叶迎华
- 关键词：激光烧蚀微推进
- 含能材料喷墨打印快速成型装置
- 本发明公开了一种含能材料喷墨打印快速成型装置，包括三维运动平台、油墨作用机构和光固化系统；三维运动平台包括台板、X轴滑块、Y轴滑块、Z轴滑块、滑板和基片底座；X轴滑块固定在台板上；Y轴滑块设置在X轴滑块顶部，Y轴滑块在X...
- 胡艳沈瑞琪叶迎华吴立志朱朋邢宗仁
- 文献传递
- SCB集成Al/M<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>纳米含能复合薄膜的电爆换能元
- 本发明公开了一种SCB集成Al/M<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>纳米含能复合薄膜的电爆换能元，由下向上依次包括Si基底、SiO<Sub>2</Sub>绝缘层、N型重掺杂多晶硅桥、金属焊盘、Al/M<S...
- 沈瑞琪刘增军朱朋叶迎华吴立志胡艳
- 封装材料对单触发开关的性能影响研究被引量：1
- 2016年
- 针对单触发开关高导通电流和高导通速率的要求,本文在制备肖特基二极管(SBD)单触发开关的基础上,采用环氧类树脂胶、有机硅胶以及端羟基聚丁二烯(HTPB)橡胶3种不同类型的材料封装单触发开关,分析比较其对开关峰值电流、延迟时间和上升时间的影响。试验结果表明,对于3种封装材料,单触发开关的峰值电流大小的顺序为:AB胶>HTPB橡胶>704胶;同时,AB胶封装的开关延迟时间最短,分析原因是其能够约束住肖特基二极管电爆炸产生的电弧。封装材料对开关的上升时间没有显著影响。
- 胡博朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志胡艳
- 关键词：封装材料开关性能爆炸箔起爆器
- 一种基于MXene-石墨烯复合的超轻多孔气凝胶、制备方法及应用
- 本发明公开了一种基于MXene‑石墨烯复合的超轻多孔气凝胶、制备方法及应用，该材料将氧化石墨烯水溶液与单层MXene水溶液混合搅拌一段时间，恒温恒压水热反应，冷却后抽掉水分，经冷冻干燥后得到。该气凝胶极大地促进了CO<S...
- 吴立志赵文甜杨勇付小龙
- 激光驱动飞片中Al_2O_3隔热层的制备研究
- 2012年
- 为了在飞片靶中加入氧化铝隔热层,以提高飞片速度,增大飞片冲击炸药的压力,确保炸药的可靠起爆,利用真空射频磁控溅射法制备了激光驱动复合多层飞片靶中的Al2O3隔热层,在溅射功率238W、溅射气压0.4Pa、Ar气流量30sccm、靶基距11cm条件下,得到Al2O3薄膜的沉积速率为125nm/h,制备的Al2O3薄膜为非晶结构,其表面均匀、致密,没有孔洞等缺陷,为后续复合多层飞片靶的制备提供支持。
- 陈少杰吴立志沈瑞琪叶迎华胡艳
- 关键词：磁控溅射
- 掺杂对RDX激光起爆性能的影响
- 系统地研究了掺杂碳黑(CB)和碳纳米管(CNTs)对RDX炸药激光起爆性能的影响.结果显示,适量掺杂CB和CNTs可以明显地提高RDX的激光起爆感度.掺杂CNTs的RDX的激光起爆感度最高值为111mJ,而掺杂CB的RD...
- 吴立志徐姣沈瑞琪叶迎华胡艳朱朋
- 硅杯聚能Al/CuO复合薄膜点火桥和点火桥阵列
- 本发明公开了一种硅杯聚能Al/CuO复合薄膜点火桥和点火桥阵列，在硅基片上用各向异性腐蚀技术制作出正四方锥形斜面的硅杯，点火桥由上电极、下电极和电介质层叠加在硅杯上而成，两层尺寸相同方向相反的金属薄膜分别作为上电极和下电...
- 朱朋沈瑞琪叶迎华胡艳吴立志周翔
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