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吴洁君

作品数：82 被引量：7H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究青年基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 77篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇理学
  • 4篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学

主题

  • 21篇氮化
  • 21篇衬底
  • 20篇厚膜
  • 18篇氮化物
  • 17篇化物
  • 15篇单晶
  • 15篇晶体
  • 13篇应力
  • 13篇籽晶
  • 13篇坩埚
  • 12篇光电
  • 11篇电子器件
  • 11篇晶体质量
  • 10篇光电子
  • 9篇氮化镓
  • 9篇光电子器件
  • 8篇自支撑
  • 8篇蓝宝
  • 8篇蓝宝石
  • 7篇氮化铝

机构

  • 75篇北京大学
  • 7篇中国科学院
  • 2篇北京燕园中镓...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 82篇吴洁君
  • 53篇于彤军
  • 43篇张国义
  • 40篇沈波
  • 26篇韩彤
  • 25篇王新强
  • 19篇康香宁
  • 13篇杨志坚
  • 10篇荣新
  • 7篇贾传宇
  • 7篇刘祥林
  • 6篇郑显通
  • 6篇王占国
  • 6篇罗伟科
  • 6篇刘强
  • 6篇盛博文
  • 5篇许福军
  • 5篇杜彦浩
  • 4篇李杰民
  • 4篇孙永健

传媒

  • 2篇第13届全国...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇力学研究

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 8篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 10篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法
本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的...
张国义吴洁君杜彦浩于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
一种GaN衬底的制备方法
本发明公布了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在铺设有碳纳米管的蓝宝石衬底上外延生长GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN薄膜或纳米柱构成过渡层，碳纳米管铺设范围需超过衬底边缘200um-...
于彤军程玉田吴洁君韩彤张国义
文献传递
GaN基脊型激光二极管的制备方法
本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层...
鲁辞莽康香宁胡晓东陈伟华张国义秦志新吴洁君于彤军陈志忠
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无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置
本发明公布一种无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置，将双面抛光的衬底直立于衬底放置装置置于反应室内，双面同时外延生长Ⅲ族氮化物薄膜或微结构形成缓冲层，再双面同时生长厚膜Ⅲ族氮化物，并保证蓝宝石Al面一侧外延厚...
吴洁君程玉田于彤军韩彤张国义
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利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法
本发明公布一种利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法，包括将砷化镓衬底正面沉积形成一层低温防分解籽晶层；在上述衬底的背面与侧面通过沉积用致密材料进行保护；处理得到的砷化镓衬底外延生长氮化镓材料得到氮化镓复合衬...
吴洁君程玉田纪骋韩彤于彤军张国义
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常...
吴洁君韩修训李杰民黎大兵陆沅王晓晖刘祥林王占国
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高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制—...
杜彦浩吴洁君张国义于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
一种GaN衬底的制备方法
本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaA...
于彤军龙浩张国义吴洁君贾传宇杨志坚王新强
用于电调制光致发光光谱测量的样品架
一种用于电调制光致发光光谱测量的样品架，其特征在于，包括：一绝缘架，该绝缘架为一管状，该绝缘架的一端有一用于固定的法兰，该绝缘架的管壁上开有六个螺孔，与该六个螺孔成90度的方向开有两个观察孔；一载样品杆，该载样品杆概成一...
丛光伟彭文琴吴洁君魏宏源刘祥林王占国
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利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法
本发明公开了一种利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法。本发明通过在氮化物单晶厚膜与氮化物模板之间引入六方晶体结构对称性的β相过渡金属氮化物牺牲层，利用过渡金属氮化物牺牲层与氮化物单晶厚膜的晶向匹配、晶格失配小...
王新强刘放沈波吴洁君荣新郑显通盛博文杨流云盛珊珊
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